Лукасевич М.И. (RU)
Изобретатель Лукасевич М.И. (RU) является автором следующих патентов:

Способ изготовления самомасштабируемого полевого транзистора со структурой суперсамосовмещенного биполярного транзистора
Использование: микроэлектроника, технология изготовления полевых транзисторов со структурой металл-окисел-полупроводник. Сущность изобретения: в способе изготовления транзистора создают первый диэлектрик, вытравливают окна в первом диэлектрике вертикальным травлением раздельно для области стока и области истока с перекрытием окнами “клюва” первого диэлектрика в сторону диэлектрика, получа...
2230392
Структура кремний-на-изоляторе для сбис
Использование: при производстве СБИС, у которых на одном кристалле формируются как полевые, так и биполярные транзисторы. Сущность изобретения: структура кремний-на-изоляторе для СБИС содержит области кремния, изолированные первым слоем диэлектрика друг от друга и вторым слоем диэлектрика от кремниевой подложки, для размещения в них полевых и биполярных транзисторов. Над вторым слоем диэл...
2230393
Способ изготовления автомасштабируемого биполярного транзистора
Использование: в микроэлектронике, в технологии изготовления интегральных схем высокой степени интеграции на биполярных транзисторах. Сущность изобретения: способ изготовления биполярного транзистора включает нанесение на подложку кремния первого слоя диэлектрика, формирование в нем травлением методом РИТ окон под базу, осаждение первого слоя поликристаллического кремния, легирование поли...
2234162
Способ создания структуры - кремний на изоляторе для сбис
Использование: в микроэлектронике, а именно в технологии изготовления структур кремний - на - изоляторе для СБИС. Техническим результатом изобретения является повышение качества структур кремний на изоляторе и процента выхода годных структур за счет создания сплошной границы между пластинами без образования полостей. Сущность изобретения: в способе создания структуры кремний - на - изолят...
2234164
Способ изготовления автомасштабируемой бикмоп структуры
Использование: микроэлектроника, технология изготовления БиКМОП структур, включающих биполярные и полевые транзисторы с субмикронными размерами элементов. Сущность изобретения: в кремниевой подложке создают карманы первого и второго типа проводимости, первый слой диэлектрика, формируют тонкий окисел кремния, осаждают слой электродного поликристаллического кремния, легируют его в месте рас...
2234165
Способ изготовления комплементарных вертикальных биполярных транзисторов в составе интегральных схем
Использование в микроэлектронике, а именно в технологии изготовления интегральных схем (ИС) с использованием комплементарных биполярных транзисторов NPN и PNP с носителями разного типа проводимости. Сущность изобретения: способ изготовления комплементарных вертикальных биполярных транзисторов в составе интегральных схем по предлагаемому изобретению приводит к тому, что размеры эмиттера и базы тран...
2244985
Способ изготовления тонких пленок полупроводникового материала на диэлектрике (варианты)
Использование: в микроэлектронике, а именно в технологии изготовления структур тонких пленок полупроводникового материала на диэлектрике, используемых в производстве СБИС, в частности структур кремний-на-диэлектрике. Технический результат - повышение качества структур тонких пленок полупроводникового материала на диэлектрике за счет создания сплошной границы между пластинами без образования полост...
2248069
Способ изготовления тонких пленок полупроводникового материала на диэлектрике (варианты)
Использование: в микроэлектронике, а именно в технологии изготовления структур тонких пленок полупроводникового материала на диэлектрике, используемых в производстве СБИС, в частности структур кремний-на-диэлектрике. Техническим результатом изобретения является повышение качества структур тонких пленок полупроводникового материала на диэлектрике за счет выбора режимов имплантации, устойчиво препят...
2260874
Способ изготовления принтерной головки с тонкопленочным резистором и принтерная головка
Использование: в производстве струйных принтеров, а именно печатающих головок для струйных принтеров, имеющих небольшие отверстия в головке, через которые по программе выбрасываются чернильные капельки. Сущность изобретения: в способе изготовления принтерной головки, включающем осаждение резистивного слоя и слоя проводника на изолированной подложке, формирование рисунков слоев, осажденных на изоли...
2261498
Способ изготовления биполярного транзистора
Использование: микроэлектроника, технология изготовления интегральных схем на биполярных транзисторах, изготовленных с использованием методов самосовмещенной технологии. Сущность изобретения: в способе изготовления биполярного транзистора, включающем нанесение на подложку кремния первого слоя окисла кремния и первого слоя поликристаллического кремния, легирование первого слоя поликристаллического...
2262774
Способ изготовления тонкопленочной структуры межсоединений принтерной головки с тонкопленочным резистором
Использование: в производстве струйных принтеров, а именно печатающих головок для струйных принтеров, имеющих небольшие отверстия в головке, через которые по программе выбрасываются чернильные капельки. Сущность изобретения: в способе изготовления тонкопленочной структуры межсоединений принтерной головки, включающем осаждение резистивного слоя и слоя проводника на изолированной подложке, формирова...
2263998