Манжа Н.М. (RU)

 Использование: микроэлектроника, технология изготовления полевых транзисторов со структурой металл-окисел-полупроводник. Сущность изобретения: в способе изготовления транзистора создают первый диэлектрик, вытравливают окна в первом диэлектрике вертикальным травлением раздельно для области стока и области истока с перекрытием окнами “клюва” первого диэлектрика в сторону диэлектрика, получа...

 Использование: в микроэлектронике, в технологии изготовления интегральных схем высокой степени интеграции на биполярных транзисторах. Сущность изобретения: способ изготовления биполярного транзистора включает нанесение на подложку кремния первого слоя диэлектрика, формирование в нем травлением методом РИТ окон под базу, осаждение первого слоя поликристаллического кремния, легирование поли...

 Использование: микроэлектроника, технология изготовления БиКМОП структур, включающих биполярные и полевые транзисторы с субмикронными размерами элементов. Сущность изобретения: в кремниевой подложке создают карманы первого и второго типа проводимости, первый слой диэлектрика, формируют тонкий окисел кремния, осаждают слой электродного поликристаллического кремния, легируют его в месте рас...

 Использование: в микроэлектронике. Сущность изобретения: способ включает следующие операции: формирование в кремниевой подложке первого типа проводимости областей первого и второго типов проводимости, эпитаксиального слоя, диэлектрических слоев, травление щелей в эпитаксиальном, скрытом слоях и в подложке на глубину, равную ширине обедненного заряда донной части р-n перехода скрытый слой...

Использование в микроэлектронике, а именно в технологии изготовления интегральных схем (ИС) с использованием комплементарных биполярных транзисторов NPN и PNP с носителями разного типа проводимости. Сущность изобретения: способ изготовления комплементарных вертикальных биполярных транзисторов в составе интегральных схем по предлагаемому изобретению приводит к тому, что размеры эмиттера и базы тран...

Областью применения изобретения является микроэлектроника, а именно технология изготовления интегральных схем. Предложенный способ включает загрузку полупроводниковых пластин в реактор с горячими стенками перпендикулярно газовому потоку, откачку реактора до предельного вакуума, напуск моносилана для осаждения слоев поликристаллического кремния, прекращение подачи моносилана, откачку реактора до пр...

Использование: микроэлектроника, технология изготовления интегральных схем на биполярных транзисторах, изготовленных с использованием методов самосовмещенной технологии. Сущность изобретения: в способе изготовления биполярного транзистора, включающем нанесение на подложку кремния первого слоя окисла кремния и первого слоя поликристаллического кремния, легирование первого слоя поликристаллического...