PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Клычников М.И. (RU)

Изобретатель Клычников М.И. (RU) является автором следующих патентов:

Способ изготовления самомасштабируемого полевого транзистора со структурой суперсамосовмещенного биполярного транзистора

Способ изготовления самомасштабируемого полевого транзистора со структурой суперсамосовмещенного биполярного транзистора

 Использование: микроэлектроника, технология изготовления полевых транзисторов со структурой металл-окисел-полупроводник. Сущность изобретения: в способе изготовления транзистора создают первый диэлектрик, вытравливают окна в первом диэлектрике вертикальным травлением раздельно для области стока и области истока с перекрытием окнами “клюва” первого диэлектрика в сторону диэлектрика, получа...

2230392

Способ изготовления автомасштабируемого биполярного транзистора

Способ изготовления автомасштабируемого биполярного транзистора

 Использование: в микроэлектронике, в технологии изготовления интегральных схем высокой степени интеграции на биполярных транзисторах. Сущность изобретения: способ изготовления биполярного транзистора включает нанесение на подложку кремния первого слоя диэлектрика, формирование в нем травлением методом РИТ окон под базу, осаждение первого слоя поликристаллического кремния, легирование поли...

2234162

Способ изготовления автомасштабируемой бикмоп структуры

Способ изготовления автомасштабируемой бикмоп структуры

 Использование: микроэлектроника, технология изготовления БиКМОП структур, включающих биполярные и полевые транзисторы с субмикронными размерами элементов. Сущность изобретения: в кремниевой подложке создают карманы первого и второго типа проводимости, первый слой диэлектрика, формируют тонкий окисел кремния, осаждают слой электродного поликристаллического кремния, легируют его в месте рас...

2234165

Способ изготовления комплементарных вертикальных биполярных транзисторов в составе интегральных схем

Способ изготовления комплементарных вертикальных биполярных транзисторов в составе интегральных схем

Использование в микроэлектронике, а именно в технологии изготовления интегральных схем (ИС) с использованием комплементарных биполярных транзисторов NPN и PNP с носителями разного типа проводимости. Сущность изобретения: способ изготовления комплементарных вертикальных биполярных транзисторов в составе интегральных схем по предлагаемому изобретению приводит к тому, что размеры эмиттера и базы тран...

2244985

Способ изготовления принтерной головки с тонкопленочным резистором и принтерная головка

Способ изготовления принтерной головки с тонкопленочным резистором и принтерная головка

Использование: в производстве струйных принтеров, а именно печатающих головок для струйных принтеров, имеющих небольшие отверстия в головке, через которые по программе выбрасываются чернильные капельки. Сущность изобретения: в способе изготовления принтерной головки, включающем осаждение резистивного слоя и слоя проводника на изолированной подложке, формирование рисунков слоев, осажденных на изоли...

2261498


Способ формирования слоев поликристаллического кремния

Способ формирования слоев поликристаллического кремния

Областью применения изобретения является микроэлектроника, а именно технология изготовления интегральных схем. Предложенный способ включает загрузку полупроводниковых пластин в реактор с горячими стенками перпендикулярно газовому потоку, откачку реактора до предельного вакуума, напуск моносилана для осаждения слоев поликристаллического кремния, прекращение подачи моносилана, откачку реактора до пр...

2261937

Способ изготовления тонкопленочной структуры межсоединений принтерной головки с тонкопленочным резистором

Способ изготовления тонкопленочной структуры межсоединений принтерной головки с тонкопленочным резистором

Использование: в производстве струйных принтеров, а именно печатающих головок для струйных принтеров, имеющих небольшие отверстия в головке, через которые по программе выбрасываются чернильные капельки. Сущность изобретения: в способе изготовления тонкопленочной структуры межсоединений принтерной головки, включающем осаждение резистивного слоя и слоя проводника на изолированной подложке, формирова...

2263998