Дракин К.А. (RU)
Изобретатель Дракин К.А. (RU) является автором следующих патентов:
![Структура кремний-на-изоляторе для сбис Структура кремний-на-изоляторе для сбис](/img/empty.gif)
Структура кремний-на-изоляторе для сбис
Использование: при производстве СБИС, у которых на одном кристалле формируются как полевые, так и биполярные транзисторы. Сущность изобретения: структура кремний-на-изоляторе для СБИС содержит области кремния, изолированные первым слоем диэлектрика друг от друга и вторым слоем диэлектрика от кремниевой подложки, для размещения в них полевых и биполярных транзисторов. Над вторым слоем диэл...
2230393![Способ изготовления тонких пленок полупроводникового материала на диэлектрике (варианты) Способ изготовления тонких пленок полупроводникового материала на диэлектрике (варианты)](https://img.patentdb.ru/i/200x200/fccfc1ad10902bc5af6eabf65eeced11.jpg)
Способ изготовления тонких пленок полупроводникового материала на диэлектрике (варианты)
Использование: в микроэлектронике, а именно в технологии изготовления структур тонких пленок полупроводникового материала на диэлектрике, используемых в производстве СБИС, в частности структур кремний-на-диэлектрике. Технический результат - повышение качества структур тонких пленок полупроводникового материала на диэлектрике за счет создания сплошной границы между пластинами без образования полост...
2248069![Способ изготовления тонких пленок полупроводникового материала на диэлектрике (варианты) Способ изготовления тонких пленок полупроводникового материала на диэлектрике (варианты)](https://img.patentdb.ru/i/200x200/03c487b3b874a6d326ad60ffe0885481.jpg)
Способ изготовления тонких пленок полупроводникового материала на диэлектрике (варианты)
Использование: в микроэлектронике, а именно в технологии изготовления структур тонких пленок полупроводникового материала на диэлектрике, используемых в производстве СБИС, в частности структур кремний-на-диэлектрике. Техническим результатом изобретения является повышение качества структур тонких пленок полупроводникового материала на диэлектрике за счет выбора режимов имплантации, устойчиво препят...
2260874