Буев А.Р. (RU)

 Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано для защиты электрических машин от токовых перегрузок. Технический результат изобретения - повышение качества и надежности ограничителя тока за счет применения однородного экрана с заданными, подстраиваемыми параметрами. Новым в устройстве является то, что экран составляется из ВТСП (высокотемпературных сверхпроводниковых) ко...

 Изобретение относится к магнитометрии и может быть использовано при создании объемов с магнитным вакуумом, т.е. магнитным полем, много меньшим, чем поле Земли. Техническим результатом изобретения является повышение качества магнитного ВТСП-экрана при уменьшении его внутреннего поля путем исключения замороженного магнитного поля. Технический результат достигается тем, что ВТСП-экран с крио...

 Использование: в криоэлектронике, при изготовлении пленочных элементов, обладающих высокотемпературной сверхпроводимостью (ВТСП). Сущность изобретения: в исходный порошок MgO вводят 30-70 мас.% серебра, затем порошок прессуют. Перед обжигом введены операции предварительного обжига при температуре порядка 1000С, уплотнения поверхностей с помощью тугоплавких материалов, а после обжига опера...

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для измерения критического тока в высокотемпературном сверхпроводнике (ВТСП). В способе измерения критического тока его величину определяют без проникновения магнитного поля соленоида в ВТСП по разности полей соленоида без ВТСП-кольца и с ВТСП-кольцом, кроме того, в устройстве измерения магнитный сердечник является магнитозамк...

Использование: в области криоэлектроники для экранирования магнитных полей. Технический результат изобретения - повышение качества магнитных экранов путем исключения сквозных, поперечных оси зазоров между сверхпроводниковыми шайбами и исключения дефектных шайб путем отбора их по величине критического тока. Сущность изобретения: составной магнитный ВТСП экран состоит из чередующихся ВТСП и проводни...

Изобретение относится к электронике и может быть использовано при изготовлении трехмерной толстопленочной схемы, содержащей проводниковые, сверхпроводниковые и др. элементы, нанесенные на верхние, нижние и боковые грани плоской подложки или подложку криволинейной формы. Технический результат - повышение производительности производства и снижение себестоимости за счет вжигания всей схемы в одном ци...

Изобретение относится к технологии тонких пленок и может быть использовано при изготовлении многокомпонентных пленочных покрытий для электронной, атомной и других областей науки и техники. Мозаичная мишень состоит из матрицы и размещенных в углублениях матрицы распыляемых элементов. Распыляемые элементы размещены в матрице в виде порошков, имеющих различную плотность и площадь поверхности, зависим...

Изобретение относится к криоэлектронике и может быть использовано при изготовлении высокотемпературной сверхпроводниковой (ВТСП) толстопленочной схемы. Технический результат - повышение производительности и снижение энергоемкости производства за счет снижения максимальной температуры обжига (с 1600-1700°С до 1000-1100°С) и соответственно его времени и замены высокотемпературной ста...