КРАССНИТЦЕР, Зигфрид (AT)

Изобретение относится к способу и установке для магнетронного распыления материала с поверхности мишени с обеспечением большей процентной доли распыленного материала в форме ионов. Создают плазменный разряд с плотностью тока разряда свыше 0,2 А/см. Используют по меньшей мере два магнетронных источника распыляемого материала с предварительно заданной допустимой температурой нагрева и предваритель...

Группа изобретений относится к нанесению покрытий на подложки и может быть использовано для нанесения покрытий на поверхности инструментов и деталей. Сверло с покрытием, которое выполнено по меньшей мере на сверлильной головке сверла и имеет по меньшей мере один слой, нанесенный магнетронным распылением импульсами высокой мощности (HIPIMS-слой), который нанесен непосредственно на корпус сверла. H...

Настоящее изобретение относится к покрытию из (Al,Ti)N, подложке с данным покрытием и к способу нанесения упомянутого покрытия методом физического осаждения из газовой фазы (PVD) и может быть использовано для покрытия деталей машин и инструментов. Покрытие из (Al,Ti)N имеет две разные части покрытия А и В с разным нанометровым размером зерна, при этом часть В покрытия нанесена на часть А покрытия,...

Изобретение относится к способу осаждения систем слоев PVD из газовой фазы с помощью напыления по меньшей мере на одну подложку. К подложке прикладывают напряжение смещения и осаждают по меньшей мере один первый слой HIPIMS и один второй слой HIPIMS с помощью метода HIPIMS. Используют по меньшей мере два частичных катода, выполненных с возможностью использования при плотностях мощности, составляющ...

Изобретение относится к способу нанесения покрытия при электродуговом напылении или ионно-дуговом напылении на подложки в вакуумной камере. Испаряют твердый материал дугового испарителя, который работает в качестве катода. Во время дугового испарения ускоряют движение катодного пятна на поверхности твердого материала при помощи магнитного поля во избежание выброса большого количества макрочастиц и...

Изобретение относится к системе центрирования пластины, которая имеет пластину с держателем, в которой пластина центруется в держателе как при комнатной температуре, так и при более высоких температурах, независимо от теплового расширения пластины и держателя, и пластина может свободно расширяться в держателе при более высоких температурах. Изобретение относится в частности к мишени, имеющей рамоч...