Бурый Дмитрий Сергеевич (RU)

Изобретение относится к способам получения кремнийорганических карбаматов. Предложен способ получения силилкарбаматов взаимодействием органохлорсиланов с тетракарбаматом олова в среде углеводородного растворителя при температуре кипения растворителя в присутствии третичного амина. Реакция протекает по схеме (I), где R – алкил или арил, R1, R2 - алкил, n=1-3. Полученный осадок отфильтровывают, раст...

Настоящее изобретение относится к способу получения ароматических ацетиленовых кетонов общей формулы где Ar, Ar' - ароматические радикалы, которые находят разнообразное применение в синтезе различных гетероциклических соединений. Способ включает взаимодействие ацетиленового компонента с альдегидом в присутствии кислоты Льюиса в органическом растворителе. В качестве ацетиленового к...

Настоящее изобретение относится к способу получения ароматических ацетиленовых кетонов общей формулы где Ar - ароматический радикал, R - С3Н7, i-С3Н7, C15H31, которые находят разнообразное применение в синтезе различных гетероциклических соединений. Способ включает взаимодействие тетра(фенилэтинил)олова с хлорангидридом карбоновой кислоты в эфирном растворителе, при этом в качеств...

Изобретение относиться к трис(N,N-диэтилкарбамату) индия. Также предложены способ его получения, применение и способ получения тонких пленок оксида индия (III). Пленки, полученные из раствора трис(N,N-диэтилкарбамата) индия, более равномерны, имеют меньше дефектов и более прозрачны в видимом диапазоне. 4 н.п. ф-лы, 2 ил., 10 пр.

Изобретение относится к способу получения ацетиленидов олова общей формулы (PhC≡C)nSnI4-n, где n=1-4. Способ включает взаимодействие сплава олова с йодпроизводным в среде органического растворителя при нагревании, при этом используют сплав олова с 1,5% цинка. В качестве йодпроизводного используют 2-йод-1-фенилацетилен. Взаимодействие проводят в среде ароматического или эфирного растворителя в тече...

Изобретение относится к области оптоэлектроники и может быть использовано при изготовлении дисплеев, светоизлучающих диодов, затворов полупроводниковых структур типа металл-диэлектрик-полупроводник, газовых сенсоров и защитных покрытий. Способ получения тонких пленок оксида олова-индия, включающий нанесение на подложку раствора, содержащего тетра(N,N-диалкилкарбамат)олова и трис(N,N-диэтилкарбамат...