Алейников А.Н. (RU)

 Способ измерения поверхностной плотности реального (полного) заряда и его среднего положения, а также поверхностных плотностей эффективных зарядов плоских диэлектрических материалов, основанный на индуцировании тока в цепи измерительного вибрационного конденсатора, между обкладками которого находится исследуемый диэлектрик. Плоский диэлектрик помещают в зазор измерительного вибрационного...

 Изобретение касается получения дифторида ксенона, его очистки и использования. Дифторид ксенона получают из ксенона и фтора в тлеющем разряде переменного тока. Температура реакции –8000С, давление 10-40 мм рт. ст. Сила тока 30-50 мА. Продукт стабилизируют на стенках сосуда при –70-800С. Отношение диаметра сосуда к межэлектродному расстоянию 1:2, напряжение между электродами 2,5 кВ. Очистк...

 Изобретение касается получения кислородсодержащих соединений ксенона и их использования. Триоксид ксенона получают гидролизом аддукта гексафторида ксенона и трифторида бора или тетрафторида ксенона или гексафторида ксенона раствором фтористоводородной кислоты с концентрацией 10-50%. Затем проводят подщелачивание до нейтральной среды гидроксидом кальция или магния. Перксенонат натрия получ...

 Изобретение касается способов получения комплекса гексафторида ксенона с трифторидом бора и их использования. Получение комплекса гексафторида ксенона с трифторидом бора проводят путем фторирования дифторида ксенона в безводном фтористом водороде газообразным фтором при температуре 298-373 К до гексафторида ксенона и затем образованием комплекса с трифторидом бора при температуре 298 К и...

Изобретение относится к электроизмерительной технике. Измеритель содержит устройство, преобразующее абсолютную влажность в электрический сигнал, и регистрирующее устройство. В преобразователе используется многозвенный усилитель, состоящий из N, не менее двух, усилителей, включенных так, что общий коэффициент усиления преобразователя k=k1...kN. В цепи обратной связи усилителей включены полупроводни...

Исследуемый образец помещают в зазор плоского статического конденсатора с неподвижными обкладками, возбуждают гармонические механические колебания образца в направлении нормали к обкладкам конденсатора и измеряют величину сигнала, пропорциональную току в цепи конденсатора при нулевом напряжении на конденсаторе. Далее на обкладки конденсатора подают переменное напряжение, синфазное с механическими...

Использование: в полупроводниковой технике для измерения распределения электростатического потенциала на поверхности полупроводников. Сущность изобретения: на фиксированном расстоянии от поверхности образца вращают плоский электрод. Ток, возникающий в цепи конденсатора, образованного образцом и электродом, интегрирующим усилителем преобразовывают в напряжение. Напряжение подают на вход осциллограф...