ДАСГУПТА Сансаптак (US)

Изобретение относится к структурам электронных схем. Ребра электронного устройства сформированы путем эпитаксиального выращивания первого слоя материала поверх поверхности подложки на дне щели, сформированной между боковыми стенками областей узкощелевой изоляции (STI). Высота щели может составлять, по меньшей мере, 1,5 размера ее ширины, и первый слой может заполнять меньше, чем высоту щели. Зате...