Долгов А.Н. (RU)

 Изобретение относится к области получения СО2-экстрактов и может быть использовано в пищевой и смежных отраслях промышленности для переработки пряно-ароматического витаминного и лекарственного растительного сырья жидкой двуокисью углерода. Установка для получения СО2-экстрактов включает несколько экстракторов, испаритель-конденсатор, накопители для растворителя. В установке экстракторы со...

 Использование: в микроэлектронике, в технологии изготовления интегральных схем высокой степени интеграции на биполярных транзисторах. Сущность изобретения: способ изготовления биполярного транзистора включает нанесение на подложку кремния первого слоя диэлектрика, формирование в нем травлением методом РИТ окон под базу, осаждение первого слоя поликристаллического кремния, легирование поли...

 Использование: микроэлектроника, технология изготовления БиКМОП структур, включающих биполярные и полевые транзисторы с субмикронными размерами элементов. Сущность изобретения: в кремниевой подложке создают карманы первого и второго типа проводимости, первый слой диэлектрика, формируют тонкий окисел кремния, осаждают слой электродного поликристаллического кремния, легируют его в месте рас...

Использование в микроэлектронике, а именно в технологии изготовления интегральных схем (ИС) с использованием комплементарных биполярных транзисторов NPN и PNP с носителями разного типа проводимости. Сущность изобретения: способ изготовления комплементарных вертикальных биполярных транзисторов в составе интегральных схем по предлагаемому изобретению приводит к тому, что размеры эмиттера и базы тран...

Областью применения изобретения является микроэлектроника, а именно технология изготовления интегральных схем. Предложенный способ включает загрузку полупроводниковых пластин в реактор с горячими стенками перпендикулярно газовому потоку, откачку реактора до предельного вакуума, напуск моносилана для осаждения слоев поликристаллического кремния, прекращение подачи моносилана, откачку реактора до пр...