ХАМАМОТО Такеси (JP)

Согласно одному варианту осуществления магниторезистивное запоминающее устройство включает в себя подложку, имеющую первую поверхность, которая включает в себя первое направление; и запоминающие элементы, имеющие переключаемое сопротивление. Первый столбец запоминающих элементов, выстроенных в линию вдоль первого направления, отличается от смежного второго столбца запоминающих элементов, выстроенн...