Латухина Наталья Виленовна (RU)

Изобретение относится к области микроэлектронной технологии, а именно к способу получения полупроводниковой гетероструктуры карбида кремния на кремниевой подложке. Формируют слой карбида кремния с помощью атомов кристаллической решетки кремниевой подложки и атомов углерода, при этом осуществляют перенос углерода в молекулярной форме в потоке водорода с расходом 0,3-0,5 л/мин в зону реакции с атома...