Гаврилов С.А. (RU)

 Использование: в микроэлектронике, а именно в технологии изготовления структур кремний - на - изоляторе для СБИС. Техническим результатом изобретения является повышение качества структур кремний на изоляторе и процента выхода годных структур за счет создания сплошной границы между пластинами без образования полостей. Сущность изобретения: в способе создания структуры кремний - на - изолят...

Использование: в микроэлектронике, а именно в технологии изготовления структур тонких пленок полупроводникового материала на диэлектрике, используемых в производстве СБИС, в частности структур кремний-на-диэлектрике. Технический результат - повышение качества структур тонких пленок полупроводникового материала на диэлектрике за счет создания сплошной границы между пластинами без образования полост...

Использование: области микро- и наноэлектроники, а более конкретно при конструировании эмиттера, в том числе эмиссионного, у активных элементов микро- и наноэлектроники: диодов и транзисторов. Сущность изобретения: в эмиттере для интегральных приборов, содержащем основание эмиттера, расположенное на подложке и выполненное из слоя каталитического материала, на поверхности которого сформированы угле...