САНО Масахико (JP)

 Изобретение относится к лазерному устройству с нитридным полупроводником. Предлагаемое устройство содержит подложку, нитридный полупроводниковый слой с электронной проводимостью, активный слой и нитридный полупроводниковый слой с дырочной проводимостью. Все эти слои сформированы в указанной последовательности на подложке. На нитридном полупроводниковом слое с дырочной проводимостью сформи...

Предложено светоизлучающее устройство и способ изготовления устройства, которое может испускать свет с малой неравномерностью цвета и высокой яркостью. Устройство включает светоизлучающий прибор, светопроницаемый элемент, принимающий падающий свет от светоизлучающего прибора, и покрывающий элемент. Светопроницаемый элемент сформирован из неорганического материала и является преобразующим свет эл...

Нитридный полупроводниковый элемент содержит сапфировую подложку, содержащую: основную поверхность, проходящую в с-плоскости сапфировой подложки, и множество выступов, расположенных на основной поверхности, причем множество выступов содержат по меньшей мере один выступ, имеющую удлиненную форму на виде в плане; и слой нитридного полупроводника, расположенный на основной поверхности сапфировой подл...