Камаев Г.Н. (RU)

 Использование: в полупроводниковой технологии для создания полупроводниковых структур, в частности, структур кремний-на-изоляторе (КНИ), кремний-на-кремнии (КНК) для производства сверхбольших интегральных схем (СБИС) и других устройств микро- и наноэлектроники. Сущность изобретения: в способе изготовления кремниевых пленок осуществляют введение водорода в рабочую пластину кремния, создава...

Использование: в полупроводниковой технике, в процессе создания элементной базы микро-, микрофото-, опто- и наноэлектроники, силовой электроники, сенсорной микроэлектроники, а также при изготовлении многослойных полупроводниковых структур, в частности структур типа кремний на кремнии и кремний-на-изоляторе (КНИ). Сущность изобретения: в способе беспустотного сращивания подложек одинаковые или отли...