Булычева Т.В. (RU)

Использование: в полупроводниковой технике, в процессе создания элементной базы микро-, микрофото-, опто- и наноэлектроники, силовой электроники, сенсорной микроэлектроники, а также при изготовлении многослойных полупроводниковых структур, в частности структур типа кремний на кремнии и кремний-на-изоляторе (КНИ). Сущность изобретения: в способе беспустотного сращивания подложек одинаковые или отли...