Сауров А.Н.

 Использование: предлагаемый элемент может найти применение для измерения магнитных полей в виде датчика в магнитоуправляемых схемах электронной автоматики или в качестве чувствительного элемента в интегральных магнитоуправляемых схемах. Сущность изобретения: магниточувствительный биполярный транзистор представляет собой элемент, выполненный на полупроводниковой пластине и содержащий две о...

 Использование: измерительная техника. Сущность изобретения: контролируемая среда подается через штуцер 2 в измерительную полость 3, мембрана 9 при этом развивает усилие, которое воздействует на упругий элемент. Упругий элемент деформируется и происходит поворот упругой оболочки. На тензорезисторы воздействуют механические напряжения от изгиба, которые пропорциональные приложенному усилию....

 Использование: микроэлектроника, интегральные схемы большой степени интеграции. Сущность изобретения: биполярный транзистор, сформированный в изолированной полупроводниковой меза-структуре, содержит области эмиттера, базы и коллектора с низко- и высоколегированными областями и изолированными и расположенными на нескольких уровнях проводниками. Транзистор дополнительно содержит две изолиро...

 Использование: микроэлектроника, интегральные схемы большой степени интеграции. Сущность изобретения: биполярный транзистор интегральной схемы состоит из полупроводниковой меза-структуры, изолированной диэлектриком и содержащей области эмиттера, базы и коллектора. В меза-структуре выполнены ступеньки так, что горизонтальные поверхности ступенек расположены на поверхности меза-структуры, в...

 Использование: микроэлектроника, интегральные схемы большой степени интеграции. Сущность изобретения: вертикальный МДП транзистор интегральной схемы содержит полупроводниковую подложку первого типа проводимости со сформированной на ней полупроводниковой структурой, окруженной изолирующей областью и состоящей из верхней и нижней областей второго типа проводимости, являющимися соответственн...

 Использование: микроэлектроника, комплементарные биполярные транзисторные структуры интегральных схем. Сущность изобретения: комплементарная биполярная транзисторная структура интегральной схемы содержит биполярные n-p-n- и p-n-p-транзисторы, выполненные в многослойной полупроводниковой структуре и изолированные областями диэлектрика. Проводники к областям эмиттера, базы и коллектора кажд...

 Использование: для измерения магнитных полей в виде датчика в магнитоуправляемых схемах электронной автоматики или в качестве чувствительного элемента в интегральных магнитоуправляемых схемах. Сущность изобретения: магниточувствительный биполярный транзистор содержит сформированный на полупроводниковой пластине первого типа проводимости эпитаксиальный слой второго типа проводимости с двум...

 Использование: микроэлектроника. Сущность изобретения: реактор для плазменной обработки полупроводниковых структур содержит камеру с системой подвода и отвода газа, подложкодержатель, установленный в основании камеры с возможностью подачи на него потенциала смещения, и систему генерации плазмы, состоящую из спирального индуктора, расположенного над диэлектрическим экраном, и системы согла...