Иовдальский В.А.

 Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при создании гибридных интегральных схем (ГИС) и микросборок СВЧ-диапазона. Целью изобретения является улучшение электрических характеристик и повышение плотности монтажа. В конструкции ГИС размещение кристаллов электронных приборов производят на дно углублений. Глубина углублений выбрана на 10 - 30 мкм больше толщины к...

 Изобретение относится к электронной технике СВЧ-диапазона и может быть использовано при создании гибридных интегральных схем СВЧ. Цель изобретения - улучшение условий теплоотвода, снижение массогабаритных характеристик и повышение выхода годных. Гибридная интегральная схема состоит из металлизированной с двух сторон диэлектрической платы 1 с рисунком металлизации 2 на лицевой поверхности...

 Сущность изобретения: в схеме выполнена металлизированная ступенчатая выемка, в которой расположены кристаллы. 1 з.п. ф-лы, 2 ил. Изобретение относится к электронной технике, а именно к конструкции гибридных интегральных схем СВЧ. Целью изобретения является уменьшение габаритов и увеличение мощности. На фиг. 1 изображена интегральная схема, продольный разрез, где 1 - диэлектрическая плата...

 Использование: изобретение относится к электронной технике. Сущность изобретения: обеспечивается улучшение массогабаритных и электрических характеристик, что достигается выполнением углублений на обеих сторонах платы, в которые установлены кристаллы бескорпусных полупроводниковых приборов таким образом, что они расположены на одном уровне с поверхностью платы, при этом толщина связующего...

 Изобретение относится к электронной технике. Сущность изобретения: в многослойной печатной плате в каждой подложке в пакете на обратной ее стороне выполняется углубление, в котором размещается бескорпусной полупроводниковый прибор. Такое расположение приборов улучшает электрическое и массогабаритные характеристики. 1 з.п. ф-лы, 2 ил. Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектрон...

 Использование: изобретение относится к электронной технике. Сущность: контактные площадки кристалла соединены непосредственно с топологическим рисунком металлизации. На лицевой поверхности платы под кристаллом выполнено углубление глубиной 5-150 мкм, на дне которого расположен анод. Кроме того, топологический рисунок платы, выходящий за пределы контактных площадок кристалла, расположен в...

 Изобретение относится к термохимической обработке материалов. Изобретение позволит повысить прецизионность изготовления деталей при сохранении электрофизических свойств материала. Сущность изобретения: проводят процесс термообработки в две стадии. Первая проводится в кассете, содержащей графит, расположенный на расстоянии 2 - 20 мм от заготовки и при температуре 1200 - 1800oC и вакууме 11...

 Область использования изобретения: изобретение относится к электронной технике. Сущность изобретения заключается в том, что в корпусе для интегральной схемы СВЧ-диапазона, содержащей металлическое основание 5 корпуса, расположенную на нем одной своей стороной с внешними выводами диэлектрическую пластину 1 с микрополосковыми линиями 2 на ее противоположной стороне по периферии, которые эле...

 Использование: электронная техника. Сущность изобретения: в многослойной плате, состоящей из отдельных подложек с рисунком проводников, выполняются углубления в подложках, прилегающих к тем, на которых установлены навесные бескорпусные полупроводниковые приборы. Последние размещаются в углублениях определенным образом. 2 з.п. ф-лы, 2 ил. Изобретение относится к полупроводниковой микроэлек...

 Устройство для измерения диэлектрических параметров среды относится к электронному приборостроению, может быть использовано для контроля и измерения диэлектрических параметров различных сред. Устройство для измерения диэлектрических параметров среды содержит микроЭВМ, в состав которой входят микропроцессор 1, пульт 2 управления, блок 3 индикации и интерфейс 15, первый цифроаналоговый прео...

 Использование: полупроводниковая микроэлектроника. Сущность изобретения: в мощной гибридной интегральной схеме СВЧ-диапазона глубина углублений в металлическом основании выбрана такой, что лицевая поверхность кристаллов и металлическое основание расположены в одной плоскости, диэлектрическая плата имеет экранную заземляющую металлизацию на обратной стороне в местах, прилегающих к металлич...

 Изобретение позволяет сократить трудоемкость изготовления выводных рамок для полупроводниковых приборов за счет группового их изготовления и минимизации числа операций, а также позволяет упростить конструкцию и снизить напряжение в структуре рамок за счет изготовления их из одного слоя металла. 2 з.п. ф-лы, 1 ил. Изобретение относится к электронной технике, в частности к технологии изгото...

 Использование: полупроводниковая микроэлектроника. Сущность изобретения: гибридная интегральная схема СВЧ диапазона содержит диэлектрическую плату с топологическим рисунком металлизации и углублениями, в которых с помощью связующего вещества закреплены кристаллы бескорпусных полупроводниковых приборов. Лицевая поверхность кристаллов с контактными площадками лежит в одной плоскости с повер...

 Предложена конструкция выводной рамки для СВЧ и КВЧ полупроводникового прибора, обеспечивающая улучшение электрических характеристик за счет уменьшения потерь энергии СВЧ сигнала, что достигается выбором материала рамки с хорошей проводимостью и паяемостью и определенной толщины, а также конструкции и размерами внутренних и внешних выводов. 4 з.п. ф-лы, 1 ил. Изобретение относится к элект...

 Использование: электронная техника. Технический результат: снижение трудоемкости изготовления и стоимости деталей и повышение точности изготовления. Сущность изобретения: в качестве исходного материала используют готовые подложки из отожженной керамики, на которые после очистки поверхности наносят металлическую маску и проводят травление керамики с целью формообразования. Затем удаляют фо...

 Использование: в электронной технике. Сущность изобретения: при изготовлении микрополосковых плат проводящую пленку напыляют толщиной 2-20 мкм, а антикоррозионное защитное покрытие наносят в два этапа с использованием защитной маски сначала из диэлектрической пленки на проводники и резисторы, а затем гальванически барьерное и антикоррозионное металлические покрытия - на контактные площадк...

 Изобретение относится к электронной технике. Технический результат - улучшение электрических характеристик схемы и снижение стоимости корпуса-крышки. Достигается тем, что корпус-крышка для гибридной интегральной схемы выполнен из диэлектрического материала, имеет плоское дно и боковые стенки, места соединения дна и боковых стенок, а также соединения боковых стенок между собой с внешней ст...

 Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике. Предложенный полупроводниковый прибор содержит подложку, на которой расположен по крайней мере один пленочный проводник с круглой контактной площадкой, которая окружена зоной, заполненной мелкими проводящими пленочными элементами, а также проволочный соединительный проводник с утолщением на конце, соединенный с контактной площадк...