Гибридная интегральная схема свч

Гибридная интегральная схема свч

Реферат

 

Изобретение относится к электронной технике СВЧ-диапазона и может быть использовано при создании гибридных интегральных схем СВЧ. Цель изобретения - улучшение условий теплоотвода, снижение массогабаритных характеристик и повышение выхода годных. Гибридная интегральная схема состоит из металлизированной с двух сторон диэлектрической платы 1 с рисунком металлизации 2 на лицевой поверхности и монтажными площадками 3, расположенными на электро- и теплопроводящих элементах 4, размещенных в отверстиях 5 платы 1, теплоотводящего основания 6, скрепленного с металлизацией 7 обратной стороны платы 1, и бескорпусных электронных приборов 8, закрепленных связующим веществом 9 на монтажных площадках 3. Монтажные площадки размещены в металлизированных углублениях 10. Использование данной конструкции позволяет улучшить электрические и массогабаритные характеристики.

Изобретение относится к электронной технике СВЧ-диапазона может быть использовано при создании гибридных интегральных схем СВЧ. Целью изобретения является улучшение условий теплоотвода, снижение массогабаритных характеристик и повышение выхода годных. Гибридная интегральная схема представлена на чертеже. Схема состоит из металлизированной с двух сторон диэлектрической платы 1 с рисунком металлизации 2 на лицевой поверхности и монтажными площадками 3, расположенными на электро- и теплопроводящих элементах 4, размещенных в отверстиях 5 платы 1, теплоотводящего основания 6, скрепленного с металлизацией 7 обратной стороны платы 1, и бескорпусных электронных приборов 8, закрепленных связующим веществом 9 на монтажных площадках 3. Монтажные площадки 3 размещены в металлизированных углублениях 10, при этом расстояние от монтажной площадки 3 до лицевой поверхности платы 1 выбрано равным суммарной толщине бескорпусного электронного прибора 8 и связующего вещества 9. Торцевая часть металлизации стенок углубления 10 и зазор между боковыми гранями электронного прибора 8 и стенками углубления 10 покрыты диэлектрической композицией. Суммарная площадь отверстий 5 в монтажной площадке 3 составляет 30-70% Пример конкретного выполнения. Устройство представляет собой гибридную интегральную схему СВЧ-диапазона, состоящую из кристаллов бескорпусных арсенидогаллиевых транзисторов ЗП325 А-5 и ЗП326 А-5, размером 0,5x0,5x0,15 и 0,5x0,4x0,15 соответственно, кремниевых бескорпусных транзисторов 2П602 размером 0,7x0,8x0,05, кремниевых сосредоточенных емкостей размером 0,65x0,65x0,28 (ТС7.088.005-20) и кремниевой бескорпусной интегральной схемы 142ЕН56 размером 2,0x2,0x0,39. Транзистор 2П602 имеет мощность до 0,5 Вт, ИМС 142ЕН5Б до 4 Вт. Кристаллы бескорпусных полупроводниковых приборов закреплены на металлизированной монтажной площадке, транзисторы ЗП325А-5 и ЗП326А-5 с помощью электро- и теплопроводящего клея Э4Э-С/14/ЫУО.028.052 ТУ, а кристаллы емкостей транзисторов 2П602 и ИМС 142ЕН56 на припой эвтектический Au-Si (14а). Металлизация монтажной площадки состоит из последовательно осажденных слоев химически осажденного никеля на предварительно активированную (PdC1₂ и SnC1₂) поверхность с последующим осаждением гальванического никеля (или меди) 3-6, никеля 0,4-0,5 и золота 2-3 мкм. Металлизированные монтажные площадки являются частью металлизации углублений, выполненных в поликоровой плате, в которой помещены кристаллы полупроводниковых приборов. Плата имеет двустороннюю металлизацию из последовательных слоев 0,04 мкм Ti 0,2 ммкм Pd 3 мкм Au. В дне углублений выполнены сквозные мателлизированные отверстия (металлизация имеет такую же структуру, как и металлизация паза), которые заполнены припоем П425А (65% Zn, 15% Cu, 20%A1), Tемпература плавления 415 425^oC. Tемпература пайки 440 460^oC - ГТО 045.937 ТУ, с помощью того же припоя плата скреплена с основанием из сплава МД-50, покрытого никелем, затем золотом. Промежутки между кристаллами и боковой поверхностью углубления, а также изоляционное покрытие выхода металлизации углубления на лицевую поверхность платы выполнено из полиамидоимида. Электрические соединения контактных площадок транзисторов ЗПЗ325А-5 и ЗП325А-5 выполнены золотой проволокой диаметром 15 мкм, а транзисторов 2П602, емкостей и ИМС золотой проволокой диаметром 40 мкм. Использование данной конструкции позволит улучшить электрические и массогабаритные характеристики.

Формула изобретения

1. Гибридная интегральная схема СВЧ, содержащая металлизированную с двух сторон диэлектрическую плату с рисунком металлизации на лицевой поверхности и по крайней мере с одной монтажной площадкой, расположенной на электро- и теплопроводящих элементах, размещенных в отверстиях платы, теплоотводящее основание, скрепленное с металлизацией обратной стороны платы, и бескорпусные электронные приборы, закрепленные связующим веществом на монтажной площадке и соединенные с рисунком металлизации, отличающаяся тем, что, с целью улучшения условий теплоотвода, снижения массогабаритных характеристик и паразитных электрических параметров, монтажную площадку размещают в металлизированном углублении, при этом расстояние от монтажной площадки до лицевой поверхности платы выбирают равным суммарной толщине бескорпусного электронного прибора и связующего вещества. 2. Схема по п.1, отличающаяся тем, что, с целью повышения выхода годных, торцевая часть металлизации стенок углубления и зазор между боковыми гранями электронного прибора и стенками углубления покрыты диэлектрической композицией. 3. Схема по п.1, отличающаяся тем, что, с целью повышения выхода годных, суммарная площадь отверстий в монтажной площадке составляет 30-70% ее площади, а стенки отверстий дополнительно металлизированы.

РИСУНКИ

Рисунок 1