Асеев Александр Леонидович (RU)

Изобретение относится к наноэлектронике, микроэлектронике и может быть использовано в микроэлектронных и микроэлектромеханических системах, а также для создания микро-, нанопроцессоров и нанокомпьютеров. Способ заключается в том, что электрод подводят к поверхности подложки, затем на электрод подают отрицательный относительно точки поверхности подложки электростатический потенциал в течение промеж...

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к электрически перепрограммируемым постоянным запоминающим устройствам. Техническим результатом является повышение надежности элемента памяти в режиме считывания. Элемент памяти для флэш электрически перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства содержит полупроводниковую подложку с выполненными на планарной стороне истоком и...

Фотодиодный приемник инфракрасного излучения содержит прозрачную для излучения спектральной области фотоприема полупроводниковую подложку, полупроводниковую варизонную структуру, размещенную на подложке. В составе варизонной структуры со стороны подложки последовательно друг на друге выполнены следующие слои. Слой, полученный сильным легированием, высокопроводящий одного типа проводимости с фиксир...

Способ относится к полупроводниковой технологии и может быть использован при создании микро-, нанопроцессоров и нанокомпьютеров. Сущность изобретения: в способе создания пленок германия на подложке формируют пленку германийсодержащего материала (GeO) толщиной 5-100 нм. Затем электрод-иглу приводят в контакт с пленкой GeO и подают положительный относительно поверхности пленки электростатический пот...