Буев Андрей Романович (RU)

Изобретение относится к измерительной технике, а именно к технике измерения индуктивности высокотемпературных сверхпроводниковых (ВТСП) устройств. Технический результат - повышение точности. Для достижения данного результата в индуктивном кольце создают ток и по его величине рассчитывают индуктивность. При этом на соленоид с датчиком Холла надевают кольцо. Постоянный ток индуцируют с помощью магни...

Изобретение относится к области криоэлектроники и может быть использовано для получения объемов повышенной магнитной чистоты. Техническим результатом изобретения является повышение качества магнитного экрана, коэффициента его ослабления, за счет уменьшения остаточных магнитных полей. Этот результат обеспечивается за счет того, что дно экрана выполняется в виде полого конуса с углом при вершине мен...

Изобретение относится к криоэлектронике и может быть использовано при изготовлении экранирующих элементов из высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП). Техническим результатом изобретения является повышение качества экрана, величины максимального поля за счет кольцевого ориентирования структуры ВТСП материала и увеличения кольцевого критического тока. Техническим результатом является также сниже...

Изобретение относится к криоэлектронике и может быть использовано при изготовлении экранирующих устройств из высокотемпературного сверхпроводника (ВТСП). Техническим результатом изобретения является повышение качества экрана, его коэффициента экранирования за счет исключения плоскости соединения фрагментов и повышение производительности за счет изготовления экрана в одном цикле. Сущность изобретен...

Изобретение относится к криоэлектронике и криоэлектротехнике. Технический результат изобретения - повышение качества магнитных экранов, а также экономия высокотемпературного сверхпроводникового материала, путем регулировки параметров экрана под магнитное поле конкретной индукции и конфигурации. Сущность изобретения: в составном магнитном сверхпроводниковом экране, состоящем из сверхпроводниковых ш...

Изобретение относится к технологии криоэлектроники и может быть использовано при изготовлении высокотемпературных сверхпроводящих (ВТСП) схем. Техническим результатом изобретения является повышение качества ВТСП схем, увеличение их температурного рабочего диапазона, повышение удельного сопротивления ВТСП материала в нормальном состоянии путем введения ферромагнитной примеси в ВТСП пленку при эле...