Горлов Митрофан Иванович (RU)

Использование: изобретение относится к области электротехники, в частности к производству и эксплуатации интегральных схем (ИС), и может быть использовано для выделения из партии ИС повышенной надежности с высоким уровнем достоверности в процессе производства. Сущность изобретения заключается в выделении партии ИС, имеющей повышенную надежность. На партию ИС воздействуют электростатическими разряд...

Изобретение относится к электротехнике, в частности к способам определения потенциально ненадежных интегральных схем (ИС). Сущность: измеряют динамический ток потребления до, после воздействия электростатическим разрядом (ЭСР) и после температурного отжига. Воздействие 5-10 импульсами ЭСР обоих знаков проводят предельно допустимым по техническим условиям (ТУ) напряжением. Температурный отжиг прово...

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано для отбора из партии полупроводниковых приборов повышенной надежности. Технический результат: расширение функциональных возможностей. Сущность: проводят измерение т-характеристик переходов приборов в диапазоне прямого тока (1-110 мА) трижды: до, после воздействия 5-15 электростатических разрядов в прямом и обратном направлени...

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано в процессе отбраковки партий интегральных схем. Технический результат - повышение достоверности. Для достижения данного результата измеряют интенсивность шума при двух значениях прямого тока, определяемых на представительной выборке по зависимости интенсивности шума от тока. По относительному изменению значения интенсивности ш...

Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к серийному производству интегральных схем (ИС). Сущность: способ включает проведение электротермотренировки (ЭТТ) партий ИС, контроль электрических параметров ИС партии. При проценте забракования ИС не более 0,4% и из них не менее 90% по электрическим параметрам ЭТТ заменяется на термотренировку. Время термотренировки должно быть не менее врем...

Изобретение относится к электротехнике, в частности к способам определения потенциально ненадежных интегральных схем (ИС). Сущность: проводят измерения амплитуды динамического тока потребления для каждого инвертора схемы в цепи питания и земли при включении и выключении инверторов до и после воздействия электростатического разряда (ЭСР). Определяют коэффициенты К=IДвыкл/IДвкл для каждого инвертора...

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам определения в партии потенциально ненадежных интегральных схем (ИС). Сущность: измеряют интенсивность шума без подачи питания на частоте 1 кГц при прямом токе при трех температурах: нормальной (25°С), минимальной (0°С) и максимальной (100°С) температуре. По относительному изменению интенсивности шума по выводам "...

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам определения потенциально ненадежных интегральных схем (ИС) в процессе производства, а также на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры. Сущность: на интегральных схемах по выводам "питание - общая точка" измеряют интенсивность шума при критическом напряжении питания и номинальном. По относительному изм...

Изобретение относится к области испытаний и контроля полупроводниковых изделий (диодов, транзисторов, интегральных схем) и может быть использовано для разбраковки по критерию потенциальной надежности как в процессе производства, так и на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры. Данное изобретение направлено на повышение достоверности и расширение функциональных в...

Предложенное изобретение относится к электротехнике, а именно к способам определения потенциально ненадежных интегральных схем (ИС), в том числе по стойкости к электростатическим разрядам (ЭСР), и может быть использовано на этапе серийного производства ИС, а также на входном контроле при производстве радиоаппаратуры. Изобретение направлено на повышение достоверности и расширение функциональных воз...

Использование: обеспечение качества и надежности полупроводниковых изделий как на этапе производства, так и на этапе применения. Сущность: на партии полупроводниковых изделий измеряют интенсивность шума на двух частотах 1000 Гц и 200 Гц при трех разных температурах (0°С, нормальной и 100°С). Вычисляют показатель формы спектра шума γ по формулегде , и - квадрат эффективног...

Изобретение относится к измерению шумов полупроводниковых изделий. Сущность: устройство содержит предварительный усилитель, два независимых канала, работающих в одинаковой полосе частот на разных центральных частотах, дифференциальный усилитель, логарифмическую шкалу и устройство автоматической регулировки усиления, позволяющее автоматически калибровать коэффициент усиления предварительного усилит...

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано для выделения из партии интегральных схем (ИС) схемы повышенной надежности. Технический результат: высокий уровень достоверности. Сущность: проводят измерения m-характеристик цепей интегральных схем в диапазоне прямого тока (1-10 мА) в исходном состоянии, после воздействия 5-10 электростатических разрядов (ЭСР) положительно...

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности варикапов, и может быть использовано для отбраковки потенциально ненадежных приборов, а также для выделения приборов повышенной надежности как на этапе производства, так и на этапе применения. Сущность: измерение максимальной емкости варикапов проводится до воздействия электростатического заряда (ЭСР),...

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к обеспечению качества и надежности полупроводниковых приборов. Сущность: измеряют интенсивность низкочастотного шума по выводам сток-исток при закороченных выводах исток-подложка в режиме прямого рабочего тока стокового перехода от внешнего маломощного источника при двух значениях тока. Определяют параметр низкочастотного шума α, использ...

Предложенное изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в технологии изготовления полупроводниковых изделий (ППИ), имеющих p-n переходы и защищенных специальными пленками. Цель изобретения - повышение точности диагностики и увеличение функциональных возможностей контроля ППИ на пластине с использованием коронного разряда. Способ определения потенциально нестабильных...

Предложенное изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в технологии изготовления полупроводниковых изделий (ППИ), в частности диодов, транзисторов, интегральных схем, а также для анализа изделий, отказавших у потребителя. Цель изобретения - повышение точности диагностики и увеличение функциональных возможностей контроля ППИ с использованием производных вольт-амперн...

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к обеспечению надежности партий биполярных транзисторов за счет определения потенциально ненадежных приборов, и может быть использовано как на этапе производства, так и применения. Способ определения потенциально ненадежных биполярных транзисторов заключается в измерении низкочастотного шума транзистора, который проводят на двух переходах эмиттер...

Использование: для оценки качества и надежности полупроводниковых изделий на этапе производства и на этапе применения. Сущность: на партии полупроводниковых изделий измеряют интенсивность низкочастотного шума на двух частотах при номинальном значении напряжения питания и одинаковом значении ширины полосы измерения шума. Вычисляют коэффициент , где и - квадрат эффективного значения шума соответс...

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам определения потенциально ненадежных аналоговых интегральных схем (ИС) в процессе производства, а также при изготовлении радиоэлектронной аппаратуры. Сущность: на ИС типа операционных усилителей, выполненных по технологии КМОП, включенных по схеме повторителя с заземленным неинвертирующим входом, измеряют среднеквадратичное напряжение шу...

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в технологии изготовления полупроводниковых изделий (ППИ), а также для анализа изделий, отказавших у потребителя, позволяющих после их вскрытия с сохранением контактов воздействовать на открытый кристалл потоком ионов, образующихся при коронном разряде. Сущность изобретения: устройство состоит из основания для закрепления п...

Предложенное изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в технологии изготовления интегральных схем (ИС) оперативно запоминающих устройств (ОЗУ), а также для причин их отказов. Цель изобретения - повышение точности диагностики и увеличение функциональных возможностей контроля полупроводниковых изделий с использованием информационно-энергетического метода. Устройство...

Предложенное изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в технологии изготовления полупроводниковых изделий (ППИ), имеющих р-n переходы, а также для анализа изделий, отказавших у потребителя, позволяющих после их вскрытия с сохранением контактов воздействовать на открытый кристалл потоком ионов, образующихся при коронном разряде. Цель изобретения - повышение точност...

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к контролю полупроводниковых приборов. Сущность: на представительной выборке биполярных транзисторов измеряется значение обратного тока эмиттера после каждого воздействия пятью импульсами электростатического разряда (ЭРС) через каждые 250 В до появления параметрических отказов. Оценку стойкости к ЭСР проводят по минимальному и среднему значениям о...

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам разделения партии интегральных схем (ИС) на надежные и потенциально ненадежные схемы. Изобретение может быть использовано на выходном контроле у изготовителей, а также на входном контроле при производстве радиоаппаратуры. Сущность: у интегральных схем измеряют интенсивность шума по выводам питание-общая точка до и после воздействия элек...