PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Матвеев Юрий Александрович (RU)

Изобретатель Матвеев Юрий Александрович (RU) является автором следующих патентов:

Изоляционная оболочка

Изоляционная оболочка

Изобретение относится к электроизоляционной технике, в частности к электроизоляционным оболочкам, обладающим огнетермостойким экранирующим эффектом. Изоляционная оболочка выполнена из различных по составу нитей, скрученных между собой, одна из нитей выполнена из аримидного волокна и является армирующей основой, а вторая выполнена в виде металлической нити толщиной больше 0,018 мм, но меньше 0,020...

2270489

Способ подготовки поверхности проволоки из алюминиевого сплава с редкоземельными металлами

Способ подготовки поверхности проволоки из алюминиевого сплава с редкоземельными металлами

Изобретение относится к предварительной подготовке поверхности изделий перед непосредственным нанесением гальванических покрытий, преимущественно перед никелированием. Способ включает операции обезжиривания, промывки и декапирования поверхности проволоки без наложения тока с последующей промывкой, при этом для повышения прочности сцепления гальванического покрытия с основой декапирование проводят...

2319791

Способ формирования полевого кмоп транзистора, созданного с использованием диэлектриков на основе оксидов металлов с высоким коэффициентом диэлектрической проницаемости и металлических затворов (варианты)

Способ формирования полевого кмоп транзистора, созданного с использованием диэлектриков на основе оксидов металлов с высоким коэффициентом диэлектрической проницаемости и металлических затворов (варианты)

Изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к технологии изготовления КМОП-транзисторов, в частности к способам управления напряжением срабатывания полевого КМОП транзистора. Техническим результатом изобретения является обеспечение управления напряжением переключения полевого транзистора n-типа и p-типа и уменьшения напряжения переключения полевого транзистора n-типа и p-типа с уве...

2393586

Способ формирования полевого кмоп транзистора, созданного с использованием диэлектриков на основе оксидов металлов с высоким коэффициентом диэлектрической проницаемости и металлических затворов, и структура полевого кмоп транзистора

Способ формирования полевого кмоп транзистора, созданного с использованием диэлектриков на основе оксидов металлов с высоким коэффициентом диэлектрической проницаемости и металлических затворов, и структура полевого кмоп транзистора

Изобретение относится к области микроэлектроники. Способ формирования полевого КМОП транзистора включает осаждение на полупроводниковой подложке слоя диэлектрика с высоким коэффициентом диэлектрической проницаемости толщиной от 1-10 нм, на поверхность которого наносят промежуточный слой из сурьмы (Sb) толщиной 0.15-0.41 нм. Металлический затвор выполнен из силицида никеля (NiSi) толщиной от 300-3...

2393587

Сплав на основе алюминия

Сплав на основе алюминия

Изобретение относится к металлургии сплавов, а именно к сплавам на основе алюминия, предназначенным для использования в качестве электропроводников, длительно работающих при температуре 250-350°С в условиях, требующих сочетания высокой прочности и электропроводимости. Сплав на основе алюминия содержит следующие компоненты, мас.%: железо 0,15-0,70, окись алюминия 0,1-1,0, по меньшей мере, один мет...

2413023


Способ подготовки поверхности проволоки из алюминия и его сплавов под гальванопокрытие

Способ подготовки поверхности проволоки из алюминия и его сплавов под гальванопокрытие

Изобретение относится к гальванотехнике, в частности к способу подготовки перед нанесением серебра на длинномерные изделия малого сечения сложной конфигурации типа проволоки, изготовленные из алюминия и его сплавов, применяемых в производстве легких и особо легких проводов и кабелей. Способ включает операции обезжиривания, промывки и декапирования проволоки в растворе, содержащем 80-100 г/л циани...

2434974

Способ формирования мемристора на основе твердотельного сплава si:me и структура мемристора на основе твердотельного сплава si:me

Способ формирования мемристора на основе твердотельного сплава si:me и структура мемристора на основе твердотельного сплава si:me

Изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к технологии изготовления интегрального элемента логики и/или энергонезависимой памяти на основе структур металл-изолятор-металл (МИМ). Задачей данного изобретения является создание мемристора, который отличается отсутствием «формовки» при первоначальном переключении структуры в состояния с малым сопротивлением. Поскольку этот этап являе...

2540237

Система продажи товаров с использованием сетевых технологий

Система продажи товаров с использованием сетевых технологий

Изобретение относится к автоматизированным информационным системам, в частности к системам электронной коммерции. Технический результат заключается в повышении достоверности информации о выбранном товаре за счет обеспечения представления выбранного товара в виде двухмерного или трехмерного объекта с возможностью его пространственного вращения, удаления или приближения. Система содержит центра...

2595965

Способ получения трёхслойной электропроводящей проволоки

Способ получения трёхслойной электропроводящей проволоки

Изобретение относится к изготовлению металлических проводников и касается способа получения трехслойной электропроводящей проволоки. Осуществляют расплавление алюминиевого сплава заявленного состава и литье сердечника из алюминиевого сплава. Затем изготавливают трехслойную сборку из алюминиевого сердечника и концентрических втулок из меди и серебра, причем отношение толщины слоя меди к слою серебр...

2617756

Наноразмерный искусственный нейрон "интегрировать-и-сработать"

Наноразмерный искусственный нейрон "интегрировать-и-сработать"

Использование: для создания интегрального элемента логики на основе многослойных структур из наноразмерных слоев металлов и изоляторов. Сущность изобретения заключается в том, что наноразмерный искусственный нейрон на основе многослойной структуры содержит первый слой металла M1, первый слой изолятора И1, слой хранения заряда СХЗ, второй слой изолятора И2 и второй слой метала М2, при этом первый с...

2627125


Способ изготовления тонкого теплостойкого электрического проводника

Способ изготовления тонкого теплостойкого электрического проводника

Изобретение относится к электротехнике, в частности к кабельной технике, и может быть использовано при изготовлении теплостойких проводов и кабелей с защитным покрытием из серебра. Способ изготовления тонкого теплостойкого электрического проводника включает нанесение на медную проволоку гальваническим путем никелевого покрытия, термообработку при температуре 300-400°С в вакууме и выдержке 1-2 часа...

2651801

Монтажный электрический провод

Монтажный электрический провод

Заявляемое изобретение относится к кабельной технике, в частности к монтажным теплостойким электрическим проводам, предназначенным для использования в радиоэлектронной аппаратуре. Монтажный электрический провод содержит по меньшей мере одну жилу, покрытую полимерной изоляцией, где жила выполнена из, по меньшей мере, одной медной посеребренной проволоки с промежуточным слоем из никеля. В частных сл...

2651874