Фоменко Юрий Леонидович (RU)

Изобретение относится к способам сварки давлением металлических выводов и может найти применение в производстве силовых полупроводниковых приборов. Сварку давлением осуществляют следующим образом. К деталям прикладывают начальное давление и в процессе начального давления на V-образный электрод дополнительно подают ультразвуковые колебания. Нагревают их V-образным электродом. Затем прикладывают доб...

Изобретение может быть использовано в микроэлектронике при ультразвуковой сварке изделий. С поверхности изделия удаляют сульфидную пленку Ag2S путем отжига в кислороде при температуре 250-350°С в течение 15-45 мин и последующим восстановлением серебра из оксида путем отжига в водороде при температуре 350-400°С в течение 3-10 мин. Отсутствие на серебряном покрытии сульфидных и оксид...

Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых изделий электронной техники и может быть использовано при сборке кремниевых кристаллов в корпусе полупроводниковых приборов путем пайки припоями, не содержащими свинец. Сущность изобретения: способ бессвинцовистой пайки полупроводникового кристалла к корпусу включает нанесение цинка на паяемую поверхность кристалла и пайку к основанию...

Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых приборов и может быть использовано при сборке кремниевых кристаллов в корпусе полупроводниковых приборов путем бессвинцовой пайки. Сущность изобретения: способ бессвинцовой контактно-реактивной пайки полупроводникового кристалла к корпусу с образованием эвтектики Al-Zn включает нанесение алюминия и олова на паяемые поверхности соотве...

Изобретение относится к электронной полупроводниковой технике, а именно к технологии изготовления высоковольтных кремниевых приборов и направлено на улучшение электрических характеристик высоковольтных приборов, снижение количества выхода из строя приборов в результате обрыва металла и пробоя по поверхности высоковольтных планарных р-п-переходов. Техническим результатом изобретения является формир...