Коноплев Борис Георгиевич (RU)

Изобретение относится к области вычислительной техники и интегральной электроники, а более конкретно к интегральным логическим элементам СБИС. Техническим результатом является сокращение занимаемой площади кристалла, повышение быстродействия и снижение энергии переключения. Устройство содержит полуизолирующую GaAs-подложку, входную металлическую шину, расположенную под ней и образующую с ней перех...

Предлагаемое изобретение относится к области интегральной электроники и микросистемной техники, а более конкретно к интегральным элементам, предназначенным для изменения направления оптического сигнала. Техническим результатом изобретения является уменьшение площади подложки, используемой под размещение интегрального микромеханического зеркала, и обеспечение возможности контроля положения зеркальн...

Изобретение относится к области вычислительной техники и интегральной электроники, а более конкретно - к интегральным логическим элементам СБИС. Техническим результатом изобретения является повышение эффективности использования площади кристалла, повышение быстродействия и снижение энергии переключения интегрального логического элемента. Сущность изобретения: в интегральный логический элемент, сод...

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для измерения ускорения и угла наклона. Технический результат - расширение функциональных возможностей. Для достижения данного результата введена дополнительная инерционная масса, выполненная из фоторезиста, три дополнительных неподвижных электрода емкостных преобразователей перемещений, выполненных из полупроводникового матер...

Изобретение относится к области вычислительной техники и интегральной электроники. Технический результат заключается в повышении быстродействия. В интегральном логическом элементе (ИЛЭ) «НЕ» на основе туннельного эффекта с парафазными выходами осуществляется использование эффекта туннелирования носителей заряда (НЗ) между областями первого и первого дополнительного каналов (К), разделенных AlGaAs-...

Изобретение относится к области измерительной техники и микросистемной техники, а более конкретно к интегральным измерительным элементам величины угловой скорости. Сущность изобретения: в интегральный микромеханический гироскоп введены два дополнительных неподвижных электрода емкостных преобразователей перемещений, выполненных из полупроводникового материала и расположенных непосредственно на подл...

Изобретение относится к области измерительной техники и микросистемной техники, а именно к интегральным измерительным элементам величины угловой скорости. При возникновении вращения полупроводниковой подложки 1 вокруг оси, расположенной в плоскости подложки, инерционные массы 28 и 30 начинают колебаться в плоскости, перпендикулярной подложке, за счет кручения торсионной балки 29. При возникновении...

Изобретение относится к области измерительной и микросистемной техники, а более конкретно к интегральным измерительным элементам величин угловой скорости и ускорения. Устройство содержит полупроводниковую подложку с пятью неподвижными электродами, четыре подвижных электрода, выполненных в виде пластин с гребенчатыми структурами, образующих конденсаторы с неподвижными электродами и связанных с подл...

Изобретение относится к области измерительной техники и микросистемной техники, а более конкретно к интегральным измерительным элементам величин угловой скорости и ускорения. В устройство, содержащее две инерционные массы, образующие с электродами емкостных преобразователей перемещений плоские конденсаторы за счет их полного перекрытия, и неподвижные электроды, введены двадцать четыре дополнител...

Изобретение относится к области измерительной техники и микросистемной техники, а более конкретно к интегральным измерительным элементам величин угловой скорости и ускорения. Устройство содержит инерционную массу, расположенную с зазором относительно подложки, на которой расположены планарные неподвижные электроды, два неподвижных электрода с гребенчатыми структурами с одной стороны, а также два...

Изобретение относится к области вычислительной техники и интегральной электроники, а более конкретно к интегральным логическим элементам СБИС. Для повышения быстродействия и уменьшения занимаемой площади в интегральный логический элемент «не» введены области третьего и четвертого каналов собственной проводимости, дополнительные AlGaAs-области первого и второго типов проводимости, образующие упра...

Изобретение относится к области электронной промышленности и может быть использовано в технологии микро- и наноэлектроники для получения атомарно-гладких поверхностей и совершенных эпитаксиальных структур на разориентированных поверхностях образцов. Сущность изобретения: в способе подготовки поверхности бинарных и многокомпонентных материалов на подготовленную поверхность образца наносят рабочий...

Лазер содержит полуизолирующую подложку, квантово-размерную активную область собственной проводимости, образующую гетеропереходы второго типа с верхним и нижним волноводными слоями, а также имеющие горизонтальное взаимное расположение области эмиттеров первого и второго типов проводимости. Верхний волноводный слой образует гетеропереход первого типа с верхней областью оптического ограничения втор...

Изобретение относится к области измерительной и микросистемной техники, а более конкретно к интегральным измерительным элементам величин ускорения. Акселерометр содержит подложку 1, преобразователь перемещения 2, инерционную массу 3, активные области подвеса 4 и 9, пассивную область подвеса 5, неподвижный электрод 6, подвижный электрод 7, а также два дополнительных подвеса с активными областями 1...

Изобретение относится к области полимерных нанокомпозитов. Способ изготовления полимерного композита с ориентированным массивом углеродных нанотрубок, состоящего из полимерной матрицы, армированной ориентированным массивом углеродных нанотрубок, включает растворение полимера в растворителе, формирование на подложке слоя нанокомпозита центрифугированием из раствора полимера и его термообработку те...

Изобретение относится к области нанотехнологии и наноматериалов, изготовлению и обработке наноструктур и может быть использовано для создания солнечных элементов, элементной базы наноэлектроники и наносистемной техники, зондов в сканирующей зондовой микроскопии, чувствительных элементов датчиков, проводящих каналов транзисторов, наполнителей композитных материалов, защитных и теплоотводящих плено...

Изобретение относится к области измерительной техники и микросистемной техники, а более конкретно к интегральным измерительным элементам величин угловой скорости и ускорения. Техническим результатом является возможность измерения величин угловой скорости и ускорения вдоль осей Х и Y, расположенных взаимно перпендикулярно в плоскости подложки, и оси Z, направленной перпендикулярно плоскости подлож...

Изобретение относится к области измерительной техники и микросистемной техники, а более конкретно к интегральным измерительным элементам величин угловой скорости и ускорения. В устройство, содержащее полупроводниковую подложку с двумя опорами, инерционную массу, два торсиона, две упругие балки и подвижный электрод, введены восемь дополнительных опор, внутренняя рамка, выполненная из полупроводник...

Изобретение относится к области нано- и микросистемной техники и полимерных нанокомпозитов и может быть использовано для создания элементов наноэлектроники с регулируемым сопротивлением, защитных и теплоотводящих пленочных покрытий. Способ изготовления пленки, состоящей из полимерной матрицы, армированной вертикально ориентированным массивом углеродных нанотрубок, выращенным на подложке, включает...

Изобретение относится к квантовой электронной технике. В интегральный инжекционный лазер введены верхняя управляющая область второго типа проводимости, примыкающая к верхнему волноводному слою, нижняя управляющая область второго типа проводимости, примыкающая к нижнему волноводному слою, нижняя управляющая область первого типа проводимости, примыкающая сверху к подложке, а снизу - к нижней управ...

Изобретение относится к области интегральной электроники, а именно - к элементам интегральных коммутаторов. Для увеличения быстродействия и расширения функциональных возможностей в четырехконтактный элемент интегрального коммутатора, содержащий полуизолирующую GaAs-подложку, области GaAs и AlGaAs-спейсера собственной проводимости, барьерную область AlGaAs второго типа проводимости, область GaAs...

Изобретение относится к области измерительной техники и микросистемной техники. Сущность изобретения заключается в том, что в устройство дополнительно введены четыре дополнительных неподвижных электрода емкостных преобразователей перемещений, выполненные в виде пластин с гребенчатыми структурами с одной стороны из полупроводникового материала и расположенные непосредственно на полупроводниковой...

Изобретение относится к области измерительной техники и микросистемной техники. Сущность изобретения заключается в том, что в устройство дополнительно введены четыре дополнительных неподвижных электрода, выполненные с гребенчатыми структурами из полупроводникового материала и расположенные непосредственно на полупроводниковой подложке, четыре подвижных электрода, выполненные в виде пластин с пер...

Изобретение относится к области измерительной техники и микросистемной техники. Сущность изобретения заключается в том, что в устройство дополнительно введены четыре дополнительных подвижных электрода емкостных преобразователей перемещений, выполненные в виде пластин с перфорацией с гребенчатыми структурами с двух сторон из полупроводникового материала и расположенные с зазором относительно подл...

Изобретение относится к цифровой измерительной технике, а именно к устройствам преобразования емкости в частоту, и может быть использовано в устройствах первичной обработки информации емкостных преобразователей микромеханических гироскопов и акселерометров. Высокочувствительный преобразователь емкости в частоту содержит измеряемую емкость, образцовый конденсатор, генератор опорной частоты, счетч...