Голубев Валерий Григорьевич (RU)

Изобретение относится к медицине, а именно к нейрохирургии, травматологии-ортопедии, к реконструктивным операциям при повреждении позвоночника и спинного мозга. Под контролем операционного микроскопа производят вскрытие кисты в продольном направлении с последующим заполнением кистозной полости комбинированным биологическим сосудисто-невро-фетонейральным трансплантатом. Трансплантат представляет со...

Изобретение относится к медицине, а именно к травматологии и ортопедии. Сущность состоит в том, что выполняют фиксацию коленного сустава путем наложения на пораженную конечность ортопедического аппарата-брейса, содержащего шарниры с опорными пластинами, которые предварительно и этапно в процессе лечения изгибают кнаружи под углом, превышающим на 3-5 градусов угол фронтальной деформации коленного с...

Изобретение относится к медицине, а именно к травматологии и ортопедии. Изобретение обеспечивает разработку полного объема движений в кистевом суставе и движений в мелких суставах кисти, а также дозирование нагрузки на мышечный разгибательный аппарат кисти с учетом сроков после травмы. Шина содержит тутор для предплечья с ремнями, захват кистевой, подставку для тутора и круговой механизм со съемны...

Изобретение относится к медицине, а именно к травматологии и ортопедии, нейрохирургии. Применяют двухэтапный хирургический способ реиннервации тканей. Первым этапом при дефекте нерва с использованием микрохирургической техники выполняют аутонейропластику за счет наружного кожного нерва голени. Вторым этапом выполняют торакоскопическую симпатэктомию на уровне Th3-Th4, на уровне 2-го и 4-го межреб...

Изобретение относится к медицине, а именно к травматологии и ортопедии, а также нейрохирургии. После иссечения невромы производят пластику центрального конца поврежденного нерва с рядом расположенным интактным нервом. После ревизии анатомически близлежащего интактного нервного ствола с помощью микрохирургической техники рассекают в нем эпиневрий и формируют овальное окно. Центральный конец повреж...

Изобретение относится к технологии нанесения пленок на подложки, конкретно - к предварительной обработке подложек (нанесению центров зародышеобразования) для последующего роста поликристаллических алмазных пленок, применяемых в ядерной технике, в мощных непрерывных технологических CO2-лазерах, в электрохимии. Способ включает создание суспензии с весовой концентрацией наноалмазных частиц в раствор...

Изобретение относится к области оптических устройств, конкретно к созданию трехмерных фотонных кристаллов с полной фотонной запрещенной зоной, которые могут применяться в системах оптической связи и передачи информации. Способ включает осаждение пленки опала толщиной 5.0÷40.0 мкм из суспензии сферических частиц аморфного диоксида кремния в этиловом спирте со средним диаметром 880 нм, дисперсией д...