Кировская Ираида Алексеевна (RU)

Изобретение относится к области газового анализа, в частности к детектирующим устройствам, применяемым для регистрации и измерения содержания микропримесей диоксида азота и других газов. Технический результат изобретения: повышение чувствительности и технологичности изготовления датчика, расширение его функциональных возможностей. Сущность: в датчике, содержащем полупроводниковое основание и подло...

Изобретение относится к области газового анализа, в частности к детектирующим устройствам, применяемым для регистрации и измерения содержания микропримесей диоксида азота и других газов. Технический результат изобретения: повышение чувствительности и технологичности изготовления датчика, расширение его функциональных возможностей. Сущность: датчик содержит подложку и полупроводниковое основание. П...

Изобретение относится к области газового анализа, в частности к детектирующим устройствам, применяемым для регистрации и измерения содержания микропримесей аммиака и других газов. Изобретение может быть использовано в экологии. Техническим результатом изобретения является повышение чувствительности и технологичности изготовления датчика. Сущность: в датчике, содержащем полупроводниковое основание...

Изобретение относится к катализаторам окисления оксида углерода (II), перспективным для очистки от него отходящих газов. Описано применение теллурида кадмия в качестве катализатора окисления оксида углерода. Технический эффект - повышение активности и селективности катализатора в реакции окисления оксида углерода. 1 табл.

Изобретение относится к катализаторам окисления оксида углерода (II), перспективным для очистки от него отходящих газов. Описан катализатор окисления оксида углерода, содержащий теллурид кадмия и антимонид индия при массовом отношении 95:5. Технический эффект - повышение активности и селективности катализатора по отношению к реакции окисления оксида углерода. 1 табл.

Изобретение относится к области газового анализа, в частности к детектирующим устройствам, применяемым для регистрации и измерения содержания монооксида углерода. Датчик содержит полупроводниковое основание и подложку, основание выполнено из поликристаллической пленки фосфида индия, легированного сульфидом кадмия, а подложкой служит электродная площадка пьезокварцевого резонатора. Изобретение обес...

Изобретение относится к детектирующим устройствам, применяемым для регистрации и измерения содержания микропримесей аммиака и других газов. В газоанализаторе полупроводниковое основание выполнено из поликристаллической пленки сульфида кадмия, легированного антимонидом индия, а подложкой служит электродная площадка пьезокварцевого резонатора. Изобретение обеспечивает упрощение технологии изготовлен...

Изобретение относится к области газового анализа и предназначено для регистрации и измерения содержания оксида углерода. Датчик содержит полупроводниковое основание и подложку. Полупроводниковое основание выполнено из поликристаллической пленки фосфида индия, а подложкой служит электродная площадка пьезокварцевого резонатора. Изобретение обеспечивает повышение чувствительности датчика и технологич...

Изобретение относится к области газового анализа, в частности к детектирующим устройствам для регистрации и измерения содержания оксида углерода. Датчик содержит полупроводниковое основание и подложку. Полупроводниковое основание выполнено из поликристаллической пленки теллурида цинка, легированного антимонидом галлия. Подложкой служит электродная площадка пьезокварцевого резонатора. Изобретение...

Изобретение относится к области газового анализа, в частности к детектирующим устройствам, применяемым для регистрации и измерения содержания микропримесей аммиака и других газов. Газоанализатор согласно изобретению содержит полупроводниковое основание, выполненное из поликристаллической пленки антимонида индия, легированного теллуридом цинка, нанесенной на электродную площадку пьезо-кварцевого р...

Изобретение относится к области газового анализа, в частности к детектирующим устройствам, применяемым для регистрации и измерения содержания аммиака. Датчик содержит полупроводниковое основание и подложку. Основание выполнено из поликристаллической пленки сульфида кадмия, а подложкой служит электродная площадка пьезокварцевого резонатора. Изобретение обеспечивает повышение чувствительности при к...

Изобретение относится к области газового анализа, в частности к детектирующим устройствам, для регистрации и измерения содержания оксида углерода и других газов. Датчик содержит полупроводниковое основание и подложку. Полупроводниковое основание выполнено из наноразмерной пленки теллурида кадмия, легированного селенидом цинка. Подложкой служит электродная площадка пьезокварцевого резонатора. Изоб...

Изобретение относится к области газового анализа, в частности к детектирующим устройствам, применяемым для регистрации и измерения содержания микропримесей аммиака и других газов. Полупроводниковое основание выполнено из наноразмерной пленки антимонида галлия, легированного теллуридом цинка. Подложкой служит электродная площадка пьезокварцевого резонатора. Изобретение обеспечивает повышение чувст...

Изобретение относится к области газового анализа, в частности к детектирующим устройствам, применяемым для регистрации и измерения содержания микропримесей диоксида азота и других газов. Изобретение может быть использовано в экологии. Датчик содержит полупроводниковое основание и подложку. Полупроводниковое основание выполнено из поликристаллической пленки антимонида индия, легированного сульфидо...

Изобретение относится к катализаторам окисления оксида углерода (II), перспективным для очистки от него отходящих газов. Описано применение фосфида индия, легированного сульфидом кадмия, в качестве катализатора окисления оксида углерода. Технический эффект - повышение активности и селективности катализатора по отношению к реакции окисления оксида углерода. 1 табл.

Изобретение относится к катализаторам окисления оксида углерода (II), перспективным для очистки от него отходящих газов. Предложено применение теллурида кадмия, легированного селенидом цинка, в качестве катализатора окисления оксида углерода. Технический эффект - повышение активности и селективности катализатора по отношению к реакции окисления оксида углерода. 1 табл.

Изобретение относится к области газового анализа, в частности к детектирующим устройствам для регистрации и измерения содержания оксида углерода. Датчик содержит полупроводниковое основание и подложку. Полупроводниковое основание выполнено из наноразмерной пленки теллурида кадмия. Подложкой служит электродная площадка пьезокварцевого резонатора. Датчик прост по конструкции, технологичен в изготов...

Изобретение относится к области газового анализа, в частности к детектирующим устройствам, применяемым для регистрации и измерения содержания микропримесей ацетона и других газов. Полупроводниковое основание выполнено из поликристаллической пленки бромида меди, легированного иодидом меди, а подложкой служит электродная площадка пьезокварцевого резонатора. Изобретение обеспечивает повышение чувств...

Изобретение относится к области газового анализа, в частности к детектирующим устройствам, применяемым для регистрации и измерения содержания микропримесей аммиака и других газов. Газовый датчик согласно изобретению содержит полупроводниковое основание, выполненное из поликристаллической пленки селенида цинка, и подложку, при этом подложкой служит электродная площадка пьезокварцевого резонатора....

Изобретение относится к области газового анализа, в частности к детектирующим устройствам, применяемым для регистрации и измерения содержания микропримесей аммиака и других газов. Полупроводниковый газовый датчик согласно изобретению содержит полупроводниковое основание, выполненное из поликристаллической пленки селенида цинка, легированного селенидом кадмия, при этом подложкой служит электродная...

Изобретение относится к области газового анализа, в частности к детектирующим устройствам, применяемым для регистрации и измерения содержания микропримесей аммиака и других газов. Полупроводниковое основание выполнено из поликристаллической пленки селенида кадмия, легированного антимонидом индия. Подложкой служит электродная площадка пьезокварцевого резонатора. Изобретение обеспечивает повышение...

Изобретение относится к области газового анализа, в частности к детектирующим устройствам, применяемым для регистрации и измерения содержания микропримесей ацетона и других газов. Полупроводниковое основание выполнено из поликристаллической пленки иодида меди, а подложкой служит электродная площадка пьезокварцевого резонатора. Изобретение обеспечивает повышение чувствительности датчика и технолог...

Изобретение относится к области газового анализа, в частности к детектирующим устройствам для регистрации и измерения содержания микропримесей оксида углерода. Датчик микропримесей оксида углерода содержит полупроводниковое основание и подложку. Полупроводниковое основание выполнено из поликристаллической нанопленки теллурида кадмия, легированного сульфидом кадмия, нанесенной на непроводящую под...

Изобретение относится к области газового анализа и может быть использовано в экологии. Датчик согласно изобретению содержит полупроводниковое основание и подложку, причем основание выполнено из поликристаллической пленки теллурида кадмия, легированного сульфидом цинка, нанесенной на непроводящую подложку. Изобретение обеспечивает возможность повышения чувствительности датчика и технологичности...

Изобретение относится к области газового анализа, в частности к детектирующим устройствам, применяемым для регистрации и измерения содержания микропримесей аммиака. Изобретение может быть использовано в экологии. Датчик содержит полупроводниковое основание и подложку, причем основание выполнено из поликристаллической пленки сульфида кадмия, легированного теллуридом цинка, нанесенной на непроводя...