Серопян Геннадий Михайлович (RU)
Изобретатель Серопян Геннадий Михайлович (RU) является автором следующих патентов:
![Способ формирования периодических микроструктур на втсп пленках с джозефсоновскими свойствами Способ формирования периодических микроструктур на втсп пленках с джозефсоновскими свойствами](https://img.patentdb.ru/i/200x200/7c53c902cb9afb872b752fc55cfeeb5f.jpg)
Способ формирования периодических микроструктур на втсп пленках с джозефсоновскими свойствами
Изобретение относится к способам создания слабых связей в виде двумерных периодических микроструктур с джозефсоновскими свойствами, используемых в высокочувствительных системах пленочных ВТСП сквид-магнитометрах, в частности, при создании высокочувствительных датчиков магнитного потока и детекторов электромагнитного поля, применяемых в устройствах для регистрации магнитокардиограмм в медицине, гео...
2275714![Керамический материал Керамический материал](https://img.patentdb.ru/i/200x200/35bc35387f2a886e85682413b35f6fc1.jpg)
Керамический материал
Изобретение относится к области криоэлектроники и может быть использовано при создании активных элементов криоэлектронных схем. Сущность изобретения заключается в том, что создан простой в технологическом исполнении керамический материал состава AgxPb2xCuyOz, имеющий следующее соотношение компонент: х=2; y=1-3; z=(5x+2y)/2-(7х+2у)/2, синтезированный в атмосфере воздуха или кислорода при давлении 1...
2281927![Способ формирования сверхпроводящей тонкой пленки, имеющей области с различными значениями плотности критического тока Способ формирования сверхпроводящей тонкой пленки, имеющей области с различными значениями плотности критического тока](https://img.patentdb.ru/i/200x200/d4c651f7ac80be305316e2d38fd8662d.jpg)
Способ формирования сверхпроводящей тонкой пленки, имеющей области с различными значениями плотности критического тока
Изобретение относится к способам формирования сверхпроводящей тонкой пленки, имеющей области с различными требуемыми для изготовления ВТСП приборов значениями плотности критического тока. Сущность изобретения: в способе формирования сверхпроводящей тонкой пленки, имеющей области с различными значениями плотности критического тока, перед нанесением пленки в подложке создают механические напряжени...
2375789![Способ формирования гладких ультратонких ybco пленок повышенной проводимости Способ формирования гладких ультратонких ybco пленок повышенной проводимости](https://img.patentdb.ru/i/200x200/d654ecbbbb0813107dee48de3aa58191.jpg)
Способ формирования гладких ультратонких ybco пленок повышенной проводимости
Изобретение относится к способам формирования методом лазерного напыления нанопленок сложного металлооксидного соединения состава YВа2Сu3O7-х (YBCO) повышенной проводимости и может быть использовано при создании элементов наноэлектроники. Сущность изобретения: в способе формирования гладких ультратонких YBCO пленок повышенной проводимости на монокристаллической подложке методом лазерного распылен...
2450389![Способ передачи и приема информации с забоя скважины на поверхность по электромагнитному каналу связи по породе с использованием сквид-магнитометра Способ передачи и приема информации с забоя скважины на поверхность по электромагнитному каналу связи по породе с использованием сквид-магнитометра](https://img.patentdb.ru/i/200x200/5ff5334c8a45aa934a197989a8434f67.jpg)
Способ передачи и приема информации с забоя скважины на поверхность по электромагнитному каналу связи по породе с использованием сквид-магнитометра
Изобретение относится к области промыслово-геофизического исследования скважин и может быть использовано как телеметрическая система с электромагнитным каналом связи по породе для передачи технологической информации о забойных параметрах бурения, например, от инклинометра. Способ передачи и приема информации с забоя скважины на поверхность по беспроводному каналу связи электромагнитным способом в...
2475644![Керамический материал Керамический материал](https://img.patentdb.ru/i/200x200/71eb134996151ef97d58319e7a62d29b.jpg)
Керамический материал
Изобретение относится к области криоэлектроники и может быть использовано при создании элементов наноэлектроники, активных элементов криоэлектронных схем, работающих в условиях космического вакуума и холода и использующих новые проводящие керамические материалы с очень малым температурным коэффициентом изменения сопротивления. Создан керамический материал следующей химической формулы AgBaPb3Oz,...
2515757![Способ формирования yba2cu3o7-x-х пленок с высокой токонесущей способностью на золотом буферном подслое Способ формирования yba2cu3o7-x-х пленок с высокой токонесущей способностью на золотом буферном подслое](https://img.patentdb.ru/i/200x200/12caca7fc567a9e9365a2e939666121d.jpg)
Способ формирования yba2cu3o7-x-х пленок с высокой токонесущей способностью на золотом буферном подслое
Изобретение относится к способам формирования методом лазерного напыления сверхпроводящих пленок. Изобретение обеспечивает получение на золотом буферном подслое сверхпроводящих пленок с высокими токонесущими свойствами, обеспечивающими значения плотности сверхпроводящего критического тока не ниже 105 А/см2. В способе формирования YBa2Cu3O7-x пленок с высокой токонесущей способностью на золотом б...
2538931![Способ формирования контактных площадок к yba2cu3o7-x пленкам Способ формирования контактных площадок к yba2cu3o7-x пленкам](https://img.patentdb.ru/i/200x200/4b55f04ec8bfb621fa9f5901e9f862ae.jpg)
Способ формирования контактных площадок к yba2cu3o7-x пленкам
Изобретение относится к формированию на диэлектрических подложках золотых контактных площадок к пленкам YBa2Cu3O7-х. Изобретение обеспечивает получение качественных золотых контактных площадок к сверхпроводящим пленкам. В способе формирования на диэлектрической подложке контактных площадок к пленкам YBa2Cu3O7-х контактные площадки формируют перед напылением пленок YBa2Cu3O7-х на диэлектрической...
2538932![Способ одновременного формирования на двухсторонних диэлектрических подложках тонких пленок yba2cu3o7-x Способ одновременного формирования на двухсторонних диэлектрических подложках тонких пленок yba2cu3o7-x](/img/empty.gif)
Способ одновременного формирования на двухсторонних диэлектрических подложках тонких пленок yba2cu3o7-x
Изобретение относится к способам формирования сверхпроводящих пленок с двух сторон диэлектрических подложек. Изобретение обеспечивает создание однородных по толщине сверхпроводящих пленок с двух сторон подложки в одном технологическом цикле. В способе формирования сверхпроводящих пленочных структур из материала YBaCuO с двух сторон подложки методом лазерной абляции вращение подложки осуществляют...
2539749![Способ формирования сверхпроводящей ультратонкой пленки yba2cu3o7-x на диэлектрических подложках Способ формирования сверхпроводящей ультратонкой пленки yba2cu3o7-x на диэлектрических подложках](https://img.patentdb.ru/i/200x200/e5fca3a63238b2a8092225dc02db0d43.jpg)
Способ формирования сверхпроводящей ультратонкой пленки yba2cu3o7-x на диэлектрических подложках
Изобретение относится к способам формирования методом лазерного напыления сверхпроводящих ультратонких пленок сложного металлооксидного соединения состава YBa2Cu3O7-x путем оптимизации параметров лазерного излучения и условий постростового отжига в напылительной камере. Изобретение обеспечивает получение ультратонких сверхпроводящих пленок толщиной 12-25 нм с неровностью поверхности в пределах 1...
2539911![Способ формирования тонкопленочных микромостиков Способ формирования тонкопленочных микромостиков](/img/empty.gif)
Способ формирования тонкопленочных микромостиков
Изобретение относится к приборам с использованием сверхпроводимости, в частности к приборам с переходом между различными материалами с использованием эффекта Джозефсона. Указанный результат достигается тем, что предложен способ формирования тонкопленочных микромостиков, в котором наносят сверхпроводящий материал на подложку через маску, при этом в качестве маски используют пластины из тугоплавк...
2550749![Способ формирования сверхпроводящей тонкой пленки с локальными областями переменной толщины Способ формирования сверхпроводящей тонкой пленки с локальными областями переменной толщины](https://img.patentdb.ru/i/200x200/ba1f4ea8b9a684c1bbc062d9945d584a.jpg)
Способ формирования сверхпроводящей тонкой пленки с локальными областями переменной толщины
Использование: для формирования в сверхпроводящих тонких пленках областей с требуемыми значениями плотности критического тока. Сущность изобретения заключается в том, что способ формирования областей переменной толщины сверхпроводящей тонкой пленки методом лазерного распыления мишени YBa2Cu3O7-x, в котором между мишенью и подложкой располагают затеняющую пластину, затем воздействуют на мишень ла...
2580213