Волков Владимир Тимофеевич (RU)

Изобретение относится к области получения тонких металлических пленок и может быть использовано как для получения свободных сверхтонких металлических пленок, например, сусального золота, платины и др., так и последующего нанесения этих пленок на разнообразные подложки. Предложенный способ включает нанесение слоя благородного металла на пластины монокристаллического кремния приборного качества с по...

Изобретение относится к технологии создания газосепарирующих мембран, функционирующих за счет селективной диффузии тех или иных газов сквозь тонкую металлическую пленку. Способ включает нанесение на очищенную технологическую подложку тонкой пленки из металлов или сплавов, или металлических соединений на их основе, последующее отделение металлической пленки от подложки и перенос ее на пористый держ...

Изобретение относится к области приборостроения, в частности к тонкопленочным датчикам на основе экстраординарного эффекта Холла, и может быть использовано в микроэлектронике при измерении и регистрации локальных магнитных полей и величин электрического тока, а также при разработке микроэлектронных устройств нового поколения. Датчик Холла для локальной магнитометрии включает подложку, помещенную н...

Изобретение относится к лазерам с распределенной обратной связью (РОС), в которых в качестве брэгговской решетки используется двумерный фотонный кристалл. В качестве подложки кристалла используется опаловая матрица с размером шаров 108 нм или 238 нм и ориентацией поверхности (111), на которую наносят методом магнетронного напыления подслой диоксида кремния толщиной 150-250 нм, сверху слой оксида...

Изобретение может быть использовано при изготовлении прозрачных электродов и приборов наноэлектроники. Графеновую пленку получают осаждением в вакууме углерода из углеродсодержащего газа на подложку, покрытую катализатором, предварительно нагретую до температуры, превышающей разложение углеродсодержащего газа. Углеродсодержащий газ напускают до давления 1-10-4 торр. Откачивание реактора производ...

Изобретение относится к области химии и может быть использовано при изготовлении приборов наноэлектроники, оптоэлектроники, сенсоров, фотовольтаики, а также для хранения энергии. На изолирующую подложку осаждают пленку алюминия толщиной 1-100 нм, напыляют на неё пленку переходного металла, например, Fe, Co или Ni, толщиной 0,1-10 нм, отжигают на воздухе при температуре 200-950°С в течение 0,1-10...