Сульженко П.С.

 Способ определения параметров пограничных состояний на границе полупроводник - диэлектрик МДП-структур, включающий последовательную подачу на исследуемую структуру, находящуюся при температуре Tо, напряжения, обеспечивающего предельное заполнение пограничных состояний полупроводника основными носителями заряда, и обедняющего напряжения, нагрев структуры по окончании релаксации тока с пост...

 Сущность изобретения: экспресс-контроль обогащения урана непосредственно в технологическом процессе осуществляют путем измерения спектра гамма-излучения образца с характерным размером, обеспечивающим самопоглощение гамма-излучения в диапазоне 0 - 300 КэВ с помощью спектрометра на сцинтилляционном детекторе, затем производят интерполяцию спектра и пошаговое интегрирование таким образом, чт...

 Изобретение относится к области неразрушающего контроля объектов и может быть использовано для определения содержания гадолиния в ТВЭЛах с урановым оксидным топливом. В способе измеряют интенсивность прошедшего через оболочку ТВЭЛа собственного фотонного излучения урана и его дочерних продуктов в диапазоне энергий выше энергии К-края поглощения гадолиния и ниже К-края поглощения урана. Те...