Способ определения параметров пограничных состояний на границе полупроводник-диэлектрик мдп-структур

Способ определения параметров пограничных состояний на границе полупроводник-диэлектрик мдп-структур

Реферат

Способ определения параметров пограничных состояний на границе полупроводник - диэлектрик МДП-структур, включающий последовательную подачу на исследуемую структуру, находящуюся при температуре T_о, напряжения, обеспечивающего предельное заполнение пограничных состояний полупроводника основными носителями заряда, и обедняющего напряжения, нагрев структуры по окончании релаксации тока с постоянной скоростью при поддержании постоянства высокочастотной емкости структуры и снятие температурной зависимости вытекающего неравновесного тока j_н(Т), отличающийся тем, что, с целью повышения точности определения параметров, по полученной зависимости j_н(Т) определяют величину энергии E_о, разделяющую пустые и заполненные при температуре T_о пограничные состояния, охлаждают структуру до начальной температуры T_о, устанавливают на ней напряжение такой величины, при которой положение уровня Ферми F_s на границе раздела равно величине E_о, по окончании релаксации тока повторно нагревают структуру с постоянной скоростью при поддержании постоянства ее высокочастотной емкости и снимают температурную зависимость вытекающего равновесного тока j_р, устанавливают соответствие между рядом точек на шкале температур зависимости j_н(Т') и рядом точек на шкале температур j_р(Т'') из соотношения и находят зависимость сечения захвата от энергии E_i по формуле где ; N_с - эффективная плотность состояний в зоне проводимости; N_о - концентрация мелких доноров; q - заряд электрона; ₉₀ - поверхностный потенциал, обеспечивающий равенство F_s и E_о при T_о; v_т - тепловая скорость основных носителей заряда, k - постоянная Больцмана.