Ждан А.Г.
Изобретатель Ждан А.Г. является автором следующих патентов:
Автоэлектронный эмиттер
Жо 1 18913 Класс 21g 1324 СССР ВОЕИВЗЙ46 54tmf М"Т 1ЫИ-".::1.1% 6NQNOHAA g x !1/ф ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ М. И. Елинсон и А. Г. Ждан АВТОЭЛЕКТРОННЪ|Й ЭМИТТЕР Заявлено 28 февраля 1958 г. за № 593904/26 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Опубликовано в «Бюллетене изобретений» № 7 за 1959 г. Предлагается конструкция а...
118913
Эмиттеры электронов, выполненные на основе монокристаллов полярных диэлектриков (окислов металлов mgo, аl2о3, sio2 и др.) с введенными в них донорными примесями, обладающих малым (порядка 0,1 и меньше) отношением электронного сродства к ширине запрещенной зоны
№ 129753 Класс 21g, 13вз СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Подписная группа ЛБ 97 М. И. Елинсон и A. Г. Ждан ЭМИТТЕРЫ ЭЛЕКТРОНОВ, ВЫПОЛНЕННЫЕ НА ОСНОВЕ МОНОКРИСТАЛЛОВ ПОЛЯРНЫХ ДИЭЛЕКТРИКОВ (ОКИСЛОВ МЕТАЛЛОВ Mgo, AI О,, S102 и др.) С ВВЕДЕННЫМИ В НИХ ДОНОРНЫМИ ПРИМЕСЯМИ, ОБЛАДАЮЩИХ МАЛЫМ (ПОРЯДКА Р,1 и МЕНЪШЕ) ОТНОШЕНИЕМ ЭЛЕКТРОННОГО СРОДСТВА К ШИРИНЕ ЗАП...
129753
Устройство для определения степени компенсации примесей в полупроводниках
COKH СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РГСПУВЛИК (s»s Н 01 L21/66 ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) (21) 3825029/25 (22) 12.12.84 (46) 15.10.93. Бюл. Ьр 37-38 (71) Институт радиотехники и электроники AH СССР (72) В.И.Бугаев, А,С.Веденеев и А.",.Æäàí (5á) Блад П., Сртон Дж,В, Методы измерения электрических свойств полупроводников. — Зарубежнав Радиоэлектр...
1241946
Способ определения параметров пограничных состояний на границе полупроводник-диэлектрик мдп-структур
Способ определения параметров пограничных состояний на границе полупроводник - диэлектрик МДП-структур, включающий последовательную подачу на исследуемую структуру, находящуюся при температуре Tо, напряжения, обеспечивающего предельное заполнение пограничных состояний полупроводника основными носителями заряда, и обедняющего напряжения, нагрев структуры по окончании релаксации тока с пост...
1499637
Способ определения параметров примеси в полупроводнике
Способ определения параметров примеси в полупроводнике, включающий измерение в криостате ЭДС Холла в образце Uн и эталоне Uн, и соответствующих токов I и I1, в условиях фоновой подсветки при температуре Tв из области вымораживания примесей, отличающийся тем, что, с целью повышения точности способа и обеспечения возможности определения концентрации основной легирующей примеси, в криостат д...
1584666
Способ определения характеристик локализованного заряда в мдп-структуре
Способ определения характеристик локализованного заряда в МДП-структуре, включающий подачу изменяемого напряжения смещения Vg на МДП-структуру, одновременное измерение зависимостей низкочастотной Cнч и высокочастотный Cвч емкостей от напряжения смещения Vg, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности определения координаты центроида локализованного заряда Zс.лок, по измеренной...
1632293