Эмиттеры электронов, выполненные на основе монокристаллов полярных диэлектриков (окислов металлов mgo, аl2о3, sio2 и др.) с введенными в них донорными примесями, обладающих малым (порядка 0,1 и меньше) отношением электронного сродства к ширине запрещенной зоны

Эмиттеры электронов, выполненные на основе монокристаллов полярных диэлектриков (окислов металлов mgo, аl2о3, sio2 и др.) с введенными в них донорными примесями, обладающих малым (порядка 0,1 и меньше) отношением электронного сродства к ширине запрещенной зоны

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

№ 129753

Класс 21g, 13вз

СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Подписная группа ЛБ 97

М. И. Елинсон и A. Г. Ждан

ЭМИТТЕРЫ ЭЛЕКТРОНОВ, ВЫПОЛНЕННЫЕ НА ОСНОВЕ

МОНОКРИСТАЛЛОВ ПОЛЯРНЫХ ДИЭЛЕКТРИКОВ (ОКИСЛОВ

МЕТАЛЛОВ Mgo, AI О,, S102 и др.) С ВВЕДЕННЫМИ В НИХ

ДОНОРНЫМИ ПРИМЕСЯМИ, ОБЛАДАЮЩИХ МАЛЫМ (ПОРЯДКА Р,1 и МЕНЪШЕ) ОТНОШЕНИЕМ ЭЛЕКТРОННОГО

СРОДСТВА К ШИРИНЕ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ

Заявлено 27 апреля 1959 r. за Хе 626528/26 в Комитет по делам изобретении и открытий при Совете Министров СССР

Опубликовано в «Бюллетене изобретений» М 13 за 1960 r.

При наложении на эмиттер достаточно сильного внутреннего электрического поля, вследствие ускорения электронов, температура эле;.тронного газа оказывается выше температуры решетки и достаточноч для интенсивной эмиссии. «Перегретая» электронная эмиссия наблюдалась на монокристаллах п-кремния, но вследствие большого электронного сродства у этих кристаллов и малой ширины запретной зоны, треоовалось охлаждение — 70 К.

Предлагается в качестве эмиттера взять диэлектрик, у которо"электронное сродство, а следовательно, и энергия выхода малы, в то .время как ширина запретной зоны велика, и затруднены ударная ионизация и пробой. Такими свойствами обладают кристаллы с ионной связью (например, MgO, А1 0з, SiOg и др). С введенными в них донорнымп примесями они позволяют получить интенсивную «перегретую» эмиссии> уже пр и ком н атной тем пер атуре.

Предмет изобретения

Применение эмиттеров электронов, выполненных на основе монокристаллов полярных диэлектриков (окислов металлов MgO, А1,0-., SiO ,и др.) с введенными в них донорными примесями, обладающих малы» (порядка 0,1 и меньше) отношением электронного сродства к ширине запрещенной зоны, для получения электронной эмиссии, вследствие перегрева электронного газа при наложении на однородные кристаллы эмиттеров электрического поля.