Кецко Валерий Александрович (RU)

Изобретение относится к порошковой металлургии, в частности к получению композиционных материалов. Может применяться в автомобилестроении, электронике и т.д. Композиционный материал содержит матрицу и соединение бора. При этом соединение бора соответствует общей формуле KatBX4, где Kat - катион металла или ониевый катион, В - бор, Х - водород или галоген, n=6-12, m=6-12, причем m не может превышат...

Изобретение относится к материалам на основе оксидов металлов, в частности к гомогенным поликристаллическим материалам на основе сложных оксидов. Может использоваться в магнитоэлектронике. Полупроводниковый антиферромагнитный материал характеризуется температурой перехода в парамагнитное состояние TN=600-650 К и представляет собой гомогенный твердый раствор оксидов цинка и кобальта Zn1-XCoXO, где...

Изобретение относится к способу получения углеводородов С2-С3 высокотемпературным каталитическим окислительным превращением метана, заключающемуся в подаче в реактор, в который помещен катализатор, а свободный объем которого заполнен инертной насадкой, исходной газовой смеси, содержащей смесь метана и молекулярного кислорода, со скоростью 50000-70000 мл/г/ч, причем катализатор включает в свой сост...

Изобретение относится к полупроводниковым материалам на основе оксидов металлов, в частности к гомогенным поликристаллическим материалам на основе сложных оксидов класса разбавленных магнитных полупроводников. Может использоваться в спинтронике. Полупроводниковый ферримагнитный материал имеет температуру перехода в парамагнитное состояние ТК=470-520 К и представляет собой твердый раствор оксидов...

Изобретение относится к способу изготовления контактной структуры BeO/Au/BeO/p-GaN для оптоэлектронных приборов, таких как светоизлучающие диоды, детекторы излучения, лазеры, а также для устройств спинтроники. Сущность изобретения: в способе изготовления прозрачной омической контактной структуры BeO/Au/BeO/p-GaN, предусматривающем ионно-плазменную очистку поверхности эпитаксиального слоя p-GaN с...

Изобретение относится к области металлургии, в частности к полупроводниковым ферримагнитным материалам. Заявлен полупроводниковый ферримагнитный материал. Материал характеризуется постоянством величины намагниченности насыщения при изменении индукции магнитного поля и включает железо, галлий и магний, представляет собой гомогенный раствор оксидов железа, галлия и магния и отвечает формуле Mg(Fe1-...

Изобретение относится к области наноматериалов для оптоэлектроники и магнитооптики и может использоваться при создании оптически прозрачных контактных слоев или защитных слоев от агрессивного воздействия внешней атмосферы на основе гетероструктур, содержащих наноразмерные пленки золота. Предложена оптически прозрачная гетероструктура для устройств оптоэлектроники и магнитооптики, состоящая из ди...

Изобретение относится к способу получения гетероструктуры Mg(Fe1-xGax)2O4/Si со стабильной межфазной границей пленка/подложка, где х=0,05÷0,25. Осуществляют нанесение на полупроводниковую подложку монокристаллического кремния пленки галлий-замещенного феррита магния Mg(Fe1-xGax)2O4, где х=0,05÷0,25. Нанесение пленки проводят в 5 этапов. На 1 этапе на подложку Si ионно-лучевым методом наносят слой...