PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Максимов Александр Дмитриевич (RU)

Изобретатель Максимов Александр Дмитриевич (RU) является автором следующих патентов:

Способ получения хирургической нити или ткани

Способ получения хирургической нити или ткани

Изобретение относится к медицине, частности к способу изготовления шовного материала или ткани, используемой в эндопротезировании, и может быть использовано при изготовлении искусственных клапанов сердца, митральных и трикуспидальных опорных колец для анулопластики. Способ получения хирургической нити или ткани включает обезжиривание синтетической нити или ткани, пропитку раствором соединения сере...

2278693

Манжета для искусственного клапана сердца и способ ее изготовления

Манжета для искусственного клапана сердца и способ ее изготовления

Изобретение относится к области медицины, в частности к кардиохирургии. Манжету для искусственного клапана сердца выполнят из синтетической ткани. Ткань пропитывают частицами восстановленного серебра. Для получения манжеты обезжиривают синтетическую ткань. Пропитывают ее раствором соединения серебра. Сушат ткань. Химически восстанавливает пропитавшее ткань соединение до металлического серебра. Про...

2286116

Способ обработки алмазосодержащих рудных концентратов и химической очистки поверхности алмазов

Способ обработки алмазосодержащих рудных концентратов и химической очистки поверхности алмазов

Изобретение относится к обогащению полезных ископаемых и может быть использовано на алмазодобывающих предприятиях. Способ включает загрузку, химическое обогащение концентрата, очистку и выгрузку целевого продукта. Химическое обогащение ведут путем однократной или многократной обработки в кислоте или кислотах, а затем в щелочи или их смесях путем нагрева до температуры 900÷1000°С и...

2286945

Способ изготовления слоев p-типа проводимости на кристаллах insb

Способ изготовления слоев p-типа проводимости на кристаллах insb

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, чувствительных к инфракрасному излучению, и может быть использовано при изготовлении фотодиодов на кристаллах InSb n-типа проводимости (изготовление p-n-переходов), фототранзисторов (изготовление базовых областей на кристаллах n-типа проводимости и эмиттеров и омических контактов на кристаллах p-типа проводимости), фотор...

2485629