Способ изготовления слоев p-типа проводимости на кристаллах insb

Иллюстрации

Показать все

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, чувствительных к инфракрасному излучению, и может быть использовано при изготовлении фотодиодов на кристаллах InSb n-типа проводимости (изготовление p-n-переходов), фототранзисторов (изготовление базовых областей на кристаллах n-типа проводимости и эмиттеров и омических контактов на кристаллах p-типа проводимости), фоторезисторов на основе кристаллов p-типа проводимости (омические контакты). В способе изготовления слоев p-типа проводимости на кристаллах InSb, включающем имплантацию ионов Be+ с энергией не более 40 кэВ и дозой не более 1014 см-2 и последующий импульсный отжиг излучением галогенных ламп через кремниевый фильтр в атмосфере осушенного аргона или азота с нагревом образца до температуры отжига со скоростью 15-350 град/с и охлаждением после отжига со скоростью не более 10 град/мин, при этом отжиг проводят в две стадии: первая - при температуре 300-320°C с длительностью отжига 40-120 с, вторая - при температуре 385-400°C с длительностью отжига 10-20 с. Изобретение обеспечивает улучшение структурных и электрофизических свойств получаемых слоев, так как в этом случае наиболее эффективно отжигаются как простые, при более низких температурах, так и сложные, при более высоких температурах, радиационные дефекты, отжиг в течение указанного времени необходим для завершения процессов диффузии к поверхности кристалла продуктов распада этих дефектов - точечных дефектов. 1 табл.

Реферат

Предлагаемое изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, чувствительных к инфракрасному излучению, и может быть использовано при изготовлении фотодиодов на кристаллах InSb n-типа проводимости (изготовление p-n-переходов), фототранзисторов (изготовление базовых областей на кристаллах n-типа проводимости и эмиттеров и омических контактов на кристаллах p-типа проводимости), фоторезисторов на основе кристаллов p-типа проводимости (омические контакты).

Известно, что легированные слои p-типа проводимости в InSb могут быть изготовлены имплантацией ионов Cd+, Mg+ и Ве4+. При этом лучшими структурными и электрофизическими свойствами обладают слои, полученные имплантацией ионов Be+-самого легкого иона этой группы элементов, производящего меньше всего нарушений в кристаллической решетке InSb. Известно также (см. И.Г.Стоянова, Н.А.Скакун, А.С.Трохин. Журнал «Поверхность: Физика химия механика», 1988 г., №8, стр.144-146. «Локализация атомов бериллия в кристаллической решетке антимонида индия при ионной имплантации»), что атомы бериллия уже при имплантации занимают узлы подрешетки In и становятся электрически активными. Однако радиационные дефекты, имеющиеся в имплантированном слое, проявляют себя как доноры, компенсирующие дырочную проводимость и уменьшающие концентрацию дырок р. При последующем отжиге концентрация дефектов уменьшается, в результате чего улучшаются структурные и электрофизические свойства слоя и значение p возрастает. При этом чем более совершенным становится слой, тем больше будет значение p, стремясь к значению концентрации атомов бериллия в слое.

Из этого следует, что при фиксированных энергии и дозе имплантации ионов Ве+ достижение наибольшего значения p соответствует наилучшим структурным и электрофизическим свойствам легированного слоя. Таким образом, успех создания слоев p-типа проводимости в InSb при имплантации ионов Ве+ определяется эффективностью постимплантационного отжига. Наиболее технологичным и уже показавшим свои преимущества является импульсный отжиг излучением галогенных ламп.

Известен способ изготовления слоев p-типа проводимости при создании p-n-переходов на кристаллах InSb n-типа проводимости, включающий имплантацию ионов Be+ с энергией 20÷100 кэВ и дозой (5·1011÷6·1014) см-2 и последующий отжиг импульсами излучения галогенных ламп с длительностью (0,8÷10)с при плотности мощности излучения (50÷100) Вт/см2 (см. патент РФ №2056671, МПК H01L 21/265 опубл. 20.06.1996 г.). Недостатком способа является наличие остаточных радиационных дефектов n-типа, ухудшающих структурные и электрофизические свойства слоя и уменьшающих концентрацию дырок, обусловленную электрически активными атомами Be.

Известен наиболее близкий по технической сущности к предлагаемому и принятый за прототип способ изготовления слоев p-типа проводимости на кристаллах InSb, включающий имплантацию ионов Be+ с энергией не более 40 кэВ и дозой не более 1014 см-2 и последующий импульсный отжиг излучением галогенных ламп через кремниевый фильтр в атмосфере осушенного аргона или азота с длительностью импульса (1-10)с и температурой образца Т=(350÷370)°С со скоростью нарастания температуры (15÷350) град/с и скоростью охлаждения после отжига не более 10 град/мин (см. Астахов В.П. и др. «Применение импульсного лампового отжига в технологии изготовления фотодиодов из антимонида индия». Научно-технический сборник «Вопросы оборонной техники», серия 11, вып.1-2 /136-237/, стр.18-22, 1993 г.). Недостатком прототипа является также наличие остаточных радиационных дефектов, ухудшающих структурные и электрофизические свойства слоя и уменьшающих концентрацию дырок в слое.

Предлагаемый способ изготовления решает задачу уменьшения остаточных радиационных дефектов в получаемом слое.

Техническим результатом при использовании предлагаемого способа является улучшение структурных и электрофизических свойств слоев p-типа проводимости, получаемых на кристаллах InSb.

Технический результат достигается тем, что в способе изготовления слоев p-типа проводимости на кристаллах InSb, включающем имплантацию ионов Be+ с энергией не более 40 кэВ и дозой не более 1014 см-2 и последующий импульсный отжиг излучением галогенных ламп через кремниевый фильтр в атмосфере осушенного аргона или азота с нагревом образца до температуры отжига со скоростью (15÷350) град/с и охлаждением после отжига со скоростью не более 10 град/мин, отжиг проводят в две стадии: первая - при температуре T1=(300-320)°C с длительностью отжига τ1=(40÷120) с, вторая - при температуре Т2=(385÷400)°C с длительностью отжига τ2=(10÷20) с.

Отжиг дефектов в две стадии объясняется наличием в имплантированном слое двух типов радиационных дефектов - простых, отжигающихся при температурах T1 и более сложных, отжигающихся при температурах Т2>T1. Выдержки при температурах T1 и Т2 в течение соответствующих значений τ1 и τ2 необходимы для завершения процессов диффузии к поверхности кристалла продуктов распада этих дефектов - точечных дефектов. Необходимость проведения сначала первой стадии отжига при температурах T1, а затем второй стадии при температурах T2>T1, вызвана тем, что переход ко второй стадии, минуя первую, вызывает одновременный распад сразу 2-х типов дефектов. Это резко увеличивает концентрацию точечных дефектов и повышает вероятность их взаимодействия с образованием новых сложных дефектов. При постадийном повышении температуры, когда отжигается сначала один тип дефектов, а затем - другой, образование новых сложных дефектов менее вероятно благодаря меньшим концентрациям точечных дефектов при температурах отжига. Нижние значения указанных интервалов температур T1 и Т2 определяются началом распада своего вида дефектов, а верхние - завершением этого процесса. Превышение верхнего значения интервала T2 приводит к активации процессов разложения более сложных дефектов, взаимодействию всех типов имеющихся дефектов и образованию новых сложных дефектов. Превышение верхнего значения интервала Т1 приводит к активации испарения атомов Sb из кристалла и связанному с этим образованию также новых сложных дефектов. Уменьшение нижних значений указанных интервалов τ1 и τ2 приводит к тому, что точечные дефекты, образующиеся при распаде соответствующих типов дефектов, не успевают стечь к поверхности, а превышение верхних значений - к проявлению диффузионных процессов, связанных с испарением атомов Sb и приводящих к формированию новых дефектов.

Для определения оптимальных значений режимов отжига был проведен ряд экспериментов на кристаллах InSb n-типа проводимости с исходной концентрацией доноров ~1015 см-3. Для создания слоев p-типа проводимости в пластины проведена имплантация ионов Be+ с энергией 30 кэВ и дозой 6*1013 см-2. Отжиг проводился на установке с галогенными лампами типа «Оникс» через кремниевый фильтр в одно-, двух- и трехстадийном режимах при различных температурах и длительностях стадий в атмосфере осушенного аргона. Скорость нагрева до температуры отжига составляла (60÷70) град/с, скорость охлаждения - (8÷10) град/мин. Оценочным параметром структурных и электрофизических свойств слоя являлось значение напряжения термо-э.д.с и, пэдс, измеренное с точностью 1 мВ, и концентрация дырок в легированном слое, рассчитанная подстановкой значения Uтэдс в формулу

,

где k - постоянная Больцмана, е - элементарный заряд, Nν - плотность состояний в валентной зоне, ΔT - разность температур нагреваемого и ненагреваемого зондов.

Uтэдс измерялось с помощью прижимных нагреваемого и ненагреваемого зондов на пластинах, залитых жидким азотом, при постоянной температуре нагреваемого зонда. По знаку Uтэдс определялся тип основных носителей заряда в слое. Аналогичные измерения произведены на слоях, изготовленных по способу-прототипу.

Результаты экспериментов представлены в таблице и они сводятся к следующему.

Выполнение всех условий предложения (в таблице выделено жирным шрифтом), включая значения интервалов параметров T1=(300÷320)°С, T2=(385÷400)°С, τ1=(40÷120)с, τ2=(10÷20) с, приводит к получению наибольших значений Uтэдс=(45÷46) мВ и p=(2,1÷2,24)*10 см18 м-3, причем p соответствует среднему значению, определяемому дозой имплантации (по расчету р~2,1·1018 см-3). Уход хотя бы одного параметра за пределы значений указанных интервалов на 10°С для T1 и Т2 и (5-10) с для τ1 и τ2, приводит к уменьшению Uтэдс на (2÷5) мВ и p - на (20-30)%. Увеличение ухода параметров приводит к дальнейшему уменьшению значений Uтэдс и р.

Все эти результаты не зависят от того, в какой момент времени после окончания импульса первой стадии длительностью τ1 начинается нагрев для проведения второй стадии.

Увеличение числа стадий ни при каких условиях не позволяет улучшить результат, получаемый по предложению.

Совокупность полученных результатов свидетельствует о том, что наилучшие структурные и электрофизические свойства легированных слоев получаются при реализации предложения. При этом значения Uтэдс в ~2,5 раза, а p - в 7 раз превосходят значения, полученные по способу-прототипу (Uтэдс=18 мВ, p=2,5·1017 см-3), что свидетельствует о значительном преимуществе предложения перед прототипом.

Способ изготовления слоев p-типа проводимости на кристаллах InSb, включающий имплантацию ионов Be+ с энергией не более 40 кэВ и дозой не более 1014 см-2 и последующий импульсный отжиг излучением галогенных ламп через кремниевый фильтр в атмосфере осушенного аргона или азота с нагревом образца до температуры отжига со скоростью 15-350°/с и охлаждением после отжига со скоростью не более 10°/мин, отличающийся тем, что отжиг проводят в две стадии: первую - при температуре 300-320°C с длительностью отжига 40-120 с, вторую - при температуре 385-400°C с длительностью отжига 10-20 с.