Гиндин Павел Дмитриевич (RU)

Изобретение может быть использовано при изготовлении линейных и матричных приемников излучения. Способ изготовления фотодиодов на антимониде индия включает формирование локального p-n перехода на подложке, анодное окисление для формирования защитной диэлектрической пленки, нанесение пассивирующей диэлектрической пленки и формирование контактной системы. Перед анодным окислением проводят легировани...

Изобретение относится к технологии изготовления чувствительных к инфракрасному излучению одно- и многоэлементных фотодиодов на антимониде индия. Указанный технический результат достигается тем, что в способе изготовления фотодиода на антимониде индия, включающем последовательное формирование локального p-n перехода на подложке, защитной диэлектрической пленки анодным окислением, пассивирующей плен...

Изобретение относится к полупроводниковым приборам, чувствительным к инфракрасному излучению, и может быть использовано при производстве одноэлементных, линейных и матричных приемников излучения с фоточувствительными элементами - фотодиодами на антимониде индия (InSb). Фотодиод на антимониде индия содержит подложку из антимонида индия n-типа проводимости со сформированным в ней р-n переходом, защи...

Способ изготовления фотодиодов на кристаллах антимонида индия n-типа проводимости включает подготовку пластины исходного кристалла антимонида индия, формирование р-n перехода имплантацией ионов бериллия с постимплантационным отжигом, нанесение защитной и пассивирующей диэлектрических пленок и формирование контактной системы. Согласно изобретению используют пластины исходного кристалла антимонида и...

Изобретение относится к способам изготовления полупроводниковых приборов для обнаружения и регистрации электромагнитного излучения инфракрасного диапазона, в частности, приемников излучения с использованием фоточувствительных структур на основе твердого раствора CdHgTe. Способ изготовления меза-структуры CdHgTe включает формирование на подложке слоев фоточувствительной области, травление для образ...

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов. Способ согласно изобретению включает формирование планарной n+-области и защиту поверхности периферии n+-p перехода имплантацией ионов азота. Перед имплантацией ионов азота на поверхности p-типа непосредственно вокруг границы n-p перехода посредством легирования бором с дозой (0,8-1)·10 см2 формируют поверхностную...

Изобретение может быть использовано в гироскопах, акселерометрах и других приборах, имеющих системы пространственной ориентации. Приемник излучения содержит выполненный из керамического материала корпус с герметично присоединенным к нему входным окном. Внутри корпуса на металлизированном дне закреплен кристалл с фоточувствительными элементами, соединенный с контактной площадкой. Контактная площа...

Изобретение относится к оптоэлектронной технике, в частности к оценке качества изображения оптических систем. Регистрирующее устройство представляет собой многоэлементный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, на фоточувствительную поверхность элементов которого нанесена непрозрачная маска с круглыми отверстиями разного диаметра, выполняющими роль измерительных диафрагм. Маска ка...

Изобретение относится к методам определения коэффициента диффузии примесных атомов в полупроводнике и позволяет по данным вольт-фарадной характеристики p-n перехода и математической модели процесса диффузии, в результате которого создан p-n переход, определять концентрационные профили введенной в полупроводник примеси. Техническим результатом является уменьшение стоимости и трудоемкости контроля...

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике, в частности к устройствам для бесконтактного измерения температуры букс подвижного состава железных дорог. Входной узел напольной камеры содержит присоединенный к корпусу напольной камеры кожух, внутри которого с возможностью поворота установлена снабженная элементами калибровки измерительного канала напольной камеры заслонка. В кожухе и к...

Способ контроля степени загрязнения защитного окна устройства теплового контроля относится к области метрологического обеспечения бесконтактных устройств теплового контроля, регистрирующих объекты с температурой, близкой к температуре окружающей среды, и может быть применен в устройствах контроля температуры букс подвижного состава железных дорог. Способ включает поочередное предъявление через за...

Изобретение относится к клеящим веществам на основе модифицированных эпоксидных смол и может использоваться в производстве вакуумных оптико-электронных приборов, в том числе охлаждаемых фотоприемников, подвергающихся многократным термоударам. Композиция состоит из (мас.ч.): модифицированной кремнийорганическим соединением эпоксидной смолы в фурилглицидиловом эфире СЭДМ-3Р - 100, отвердителя - про...

Изобретение относится к полупроводниковым приборам, чувствительным к инфракрасному излучению, и может быть использовано при производстве охлаждаемых одноэлементных, линейных и матричных приемников излучения с фоточувствительными элементами - планарными фотодиодами на антимониде индия (InSb). В планарном фотодиоде на антимониде индия, содержащем подложку n-типа проводимости с концентрацией легирую...

Изобретение относится к электропроводящему клею на основе связующего модифицированной эпоксидной смолы с отвердителем аминного типа и наполнителем и может использоваться в производстве оптико-электронных приборов. Электропроводящий клей содержит модифицированную кремнийорганическим соединением эпоксидную смолу в фурилглицидиловом эфире в качестве связующего, полиаминоамид в качестве отвердителя,...

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, чувствительных к инфракрасному излучению, и может быть использовано при изготовлении фотодиодов на кристаллах InSb n-типа проводимости (изготовление p-n-переходов), фототранзисторов (изготовление базовых областей на кристаллах n-типа проводимости и эмиттеров и омических контактов на кристаллах p-типа проводимости), фотор...

Способ относится к области метрологического обеспечения пирометрических систем, в том числе регистрирующих объекты с температурой, близкой к температуре окружающей среды, и может быть применен в системах контроля температуры букс подвижного состава железных дорог, как в пунктах линейного контроля, так и в ручных пирометрах при контроле температуры путевым обходчиком. Способ поверки пирометра в р...

Изобретение относится к области метрологического обеспечения стационарных пирометрических устройств в рабочих условиях эксплуатации и может быть применено в системах контроля температуры букс подвижного состава железных дорог. Способ измерения эквивалентной температуры включает автоматическую коррекцию градуировочной характеристики рабочего пирометра перед измерениями по встроенному опорному ист...

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, чувствительных к инфракрасному излучению, и может быть использовано при изготовлении фотодиодов на кристаллах InAs n-типа проводимости, фототранзисторов, фоторезисторов на основе кристаллов p-типа проводимости. Способ изготовления слоев p-типа проводимости на кристаллах InAs включает имплантацию ионов Ве+ с энергией (30÷...

Предлагаемое изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в частности, к способам изготовления планарных pin-фотодиодов большой площади на основе высокоомного кремния p-типа проводимости. Способ включает подготовку пластины исходных p-кремния или кремниевой эпитаксиальной структуры p+-p-типа, формирование маски для имплантации ионов P+ в рабочую область и охранное...

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов. Способ изготовления pin-фотодиодов с охранным кольцом (ОК) на высокоомном р-кремнии включает термическое окисление исходной пластины р-кремния или эпитаксиальной структуры, содержащей слой высокоомного р-кремния, вскрытие «окон» в термическом окисном слое, загонку атомов фосфора в «окна» и их разгонку, совмещенную с окис...

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, чувствительных к инфракрасному излучению, и может быть использовано при изготовлении фотодиодов на кристаллах InGaAs n-типа проводимости, фототранзисторов, фоторезисторов на основе кристаллов p-типа проводимости. В способе изготовления слоев p-типа проводимости на кристаллах InGaAs, включающем имплантацию ионов Be+ и пос...