Дерменжи Пантелей Георгиевич (RU)

Изобретение относится к конструкции полупроводниковых приборов с самозащитой от пробоя при перенапряжениях в закрытом состоянии, а именно к конструкции динисторов и тиристоров, в том числе симметричных. Техническим результатом изобретения является снижение относительного разброса значений напряжения переключения прибора UВО, упрощение технологии его изготовления, повышение процента выхода годных п...

Изобретение относится к конструкции полупроводниковых приборов с самозащитой от пробоя в период восстановления запирающих свойств, а именно к конструкции тиристоров, в том числе фототиристоров. Техническим результатом изобретения является устранение неопределенности при проектировании прибора в отношении конкретных значений времени жизни неравновесных носителей заряда в базовых n-слоях дискретных...

Изобретение относится к силовым полупроводниковым приборам, а именно к конструкции силовых диодов, динисторов и тиристоров, в том числе симметричных. Техническим результатом изобретения является повышение стабильности обратного тока ir и напряжения пробоя vbr высоковольтного p-n-перехода и возможность регулирования vbr. Сущность изобретения: силовой полупроводниковый прибор, выполненный на основе...

Изобретение относится к силовым полупроводниковым приборам, а именно к конструкции силовых тиристоров. Техническим результатом изобретения является обеспечение стабильных значений критической скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии и времени выключения независимо от площади зоны внешнего управления и повышение нагрузочной способности тиристора. Сущность изобретения: в силовом полупрово...

Изобретение относится к конструкции силового полупроводникового прибора. Техническим результатом изобретения является повышение критической скорости нарастания тока при переключении прибора в случае перенапряжений. Сущность изобретения: силовой полупроводниковый прибор, выполненный на основе кремниевой пластины n-типа электропроводности с двумя главными поверхностями, содержащий, по меньшей мере,...

Изобретение относится к силовой полупроводниковой технике, в частности к технологии изготовления силовых диодов, динисторов и тиристоров, содержащих, по меньшей мере, один высоковольтный p-n-переход с прямой фаской. Техническим результатом изобретения является повышение напряжения лавинного пробоя p-n переходов с прямой фаской. Сущность изобретения: в способе изготовления высоковольтного силового...

Изобретение относится к силовым полупроводниковым приборам, а именно к силовым тиристорам, управляемым током. Техническим результатом изобретения является интеграция функции самозащиты от импульсов перенапряжения в обычные управляемые током тиристоры. Сущность изобретения: в силовом тиристоре, выполненном на основе кремниевой пластины n-типа электропроводности, содержащем с обеих сторон пластины...

Изобретение относится к технологии регулирования напряжения переключения силового полупроводникового прибора, а именно к технологии изготовления динистора и тиристора, в т.ч. фототиристора, имеющих самозащиту от перенапряжения. Сущность изобретения: способ регулирования напряжения переключения силового полупроводникового прибора с полупроводниковой структурой, содержащей триодную зону р+-n-р-типа...