Черников Анатолий Александрович (RU)
Изобретатель Черников Анатолий Александрович (RU) является автором следующих патентов:
Полупроводниковый прибор с самозащитой от перенапряжений
Изобретение относится к конструкции полупроводниковых приборов с самозащитой от пробоя при перенапряжениях в закрытом состоянии, а именно к конструкции динисторов и тиристоров, в том числе симметричных. Техническим результатом изобретения является снижение относительного разброса значений напряжения переключения прибора UВО, упрощение технологии его изготовления, повышение процента выхода годных п...
2279735Полупроводниковый прибор с самозащитой от пробоя в период восстановления запирающих свойств
Изобретение относится к конструкции полупроводниковых приборов с самозащитой от пробоя в период восстановления запирающих свойств, а именно к конструкции тиристоров, в том числе фототиристоров. Техническим результатом изобретения является устранение неопределенности при проектировании прибора в отношении конкретных значений времени жизни неравновесных носителей заряда в базовых n-слоях дискретных...
2297075Силовой полупроводниковый прибор
Изобретение относится к силовым полупроводниковым приборам, а именно к конструкции силовых диодов, динисторов и тиристоров, в том числе симметричных. Техническим результатом изобретения является повышение стабильности обратного тока ir и напряжения пробоя vbr высоковольтного p-n-перехода и возможность регулирования vbr. Сущность изобретения: силовой полупроводниковый прибор, выполненный на основе...
2308121Силовой полупроводниковый прибор
Изобретение относится к силовым полупроводниковым приборам, а именно к конструкции силовых тиристоров. Техническим результатом изобретения является обеспечение стабильных значений критической скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии и времени выключения независимо от площади зоны внешнего управления и повышение нагрузочной способности тиристора. Сущность изобретения: в силовом полупрово...
2321102Способ изготовления высоковольтного силового полупроводникового прибора
Изобретение относится к силовой полупроводниковой технике, в частности к технологии изготовления силовых диодов, динисторов и тиристоров, содержащих, по меньшей мере, один высоковольтный p-n-переход с прямой фаской. Техническим результатом изобретения является повышение напряжения лавинного пробоя p-n переходов с прямой фаской. Сущность изобретения: в способе изготовления высоковольтного силового...
2449415