Дворецкий С.А.

 Способ получения n+-слоев на кристаллах и пленках арсенида галлия в кварцевом реакторе при выращивании из газовой фазы или при отжиге пластин, отличающийся тем, что, с целью получения поверхностных слоев с концентрацией носителей до 1019 см-3, в газовую фазу вводят треххлористый алюминий в концентрации, большей, чем содержание кислорода и кислородсодержащих соединений, например при содерж...

 Способ очистки газовой фазы от кислорода и летучих кислородсодержащих соединений в реакционной зоне при выращивании эпитаксиальных слоев полупроводников и диэлектриков, отличающийся тем, что, с целью выращивания полупроводников и диэлектриков в атмосфере с содержанием кислорода и летучих кислородсодержащих соединений меньше 1 ppm, очистку производят в реакционной зоне в процессе выращиван...

 Способ обработки поверхности полупроводников, состоящий в удалении остаточного раствора-расплава с поверхности подложки механическим путем, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии получения гладкой, свободной от образований поверхности, удаление осуществляют путем приведения поверхности с остаточным раствором-расплавом в контакт с системой капилляров, охватывающей всю обрабаты...

 Способ обработки полупроводниковых соединений PbTe и Pb1-х Snx Te, включающий загрузку в ампулу образца, вещества - источника паров, откачку воздуха из ампулы, заполнение ампулы водородом и диффузионный отжиг, отличающий тем, что, с целью снижения температуры отжига и расширения интервала регулирования концентрации электронов в полупроводниковых соединениях, качестве вещества - источника...

 Способ обработки полупроводниковых соединений PbTe и Pb1-x Snx Te, включающий загрузку в ампулу образца, вещества - источника паров, откачку ампулы, заполнение ампулы водородом и диффузный отжиг, отличающий тем, что, с целью обеспечения возможности независимой регулировки концентрации носителей заряда в обработанном материале и скорости диффузии, в качестве вещества - источника паров - в...

 Использование: технология получения тонкопленочных многослойных покрытий. Сущность изобретения: в первом контуре сбора ртути при температурах, близких к температуре кипения ртути (357oС), расплавленная ртуть через воронку 16, трубопровод 31 и открытый вентиль 30 поступает в питатель 25, а десорбировавшие со стенок экрана 8 газы откачиваются откачными средствами 2. Периодическое разморажив...

 Использование: устройство для молекулярно-лучевой эпитаксии относится к вакуумной технике и может быть использовано в технологии получения тонкопленочных многослойных покрытий. Устройство содержит вакуумную технологическую камеру, размещенные в ней напротив подложки кольцевые рассеиватели, системы подачи паров материалов, соединяющие рассеиватели с источниками паров материалов, манипулято...

 Способ может быть использован для определения температуры оптически гладких поверхностей различных нагретых объектов. В способе бесконтактного измерения температуры, включающем прием теплового излучения объекта, спектральную фильтрацию, его модуляцию, детектирование, усиление на частоте модуляции, выделение переменной составляющей, излучение объекта регистрируют под углом к нормали к пове...