Способ обработки полупроводниковых соединений pbte и pb1- xsnxte
Патент 1028198
Авторы
Классы МПК
Способ обработки полупроводниковых соединений pbte и pb1- xsnxte
Реферат
Способ обработки полупроводниковых соединений PbTe и Pb1-x Snx Te, включающий загрузку в ампулу образца, вещества - источника паров, откачку ампулы, заполнение ампулы водородом и диффузный отжиг, отличающий тем, что, с целью обеспечения возможности независимой регулировки концентрации носителей заряда в обработанном материале и скорости диффузии, в качестве вещества - источника паров - в ампулу загружают PbBr2 в количестве 5 - 10oC10-3 г на 1 см3 объема ампулы и теллур в количестве 4,55 - 85,5oC 10-6 г на 1 см3 объема ампулы.