Максимов В.Л.

 Способ легирования полупроводниковых соединений типа AIII BV, преимущественно арсенида галлия и фосфида галлия, основанный на диффузии из жидкой фазы, содержащей легирующий элемент, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества диффузионных слоев и упрощения процесса, диффузию проводят из насыщенного относительно материала подложки раствора-расплава арсенида - фосфида галлия.

 Способ получения эпитаксиальных структур переменного состава на основе твердых растворов полупроводниковых соединений III-V методом газовой эпитаксии, включающий подачу в зону осаждения галогенидов, элемента III группы из его источника и паров элемента V группы потоком газа-носителя и изменение состава подаваемой парогазовой смеси в процессе осаждения, отличающийся тем, что, с целью расши...

 Способ изготовления металлических покрытий, балочных выводов и омических контактов в полупроводниковым структурам, включающий нанесение расплавленного контактного металла на поверхность полупроводниковых структур и последующее вплавление, отличающийся тем, что, с целью увеличения однородности покрытий, структуры собирают в пакет с зазором 0,2 - 1 мм, который заполняют расплавом контактног...

 Способ получения полупроводниковых пленок халькогенида галлия в открытой газотранспортной системе с использованием жидкого источника галлия, включающий взаимодействие галогенсодержащего вещества с галлием, транспортирование галогенида галлия в зону роста, подачу в зону наращивания элемента VI группы потоком газа-носителя и наращивание монокристалла на подложку, отличающийся тем, что, с це...

 Способ выращивания многослойных структур на основе соединений типа A IIIBV с использованием химических газотранспортных реакций, включающий загрузку в реактор источника элемента третьей группы, подложек, подачу газовой смеси, содержащей галогенид пятой группы и пары воды, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии и улучшения качества структур в источник элемента третьей группы д...

 Способ селективного травления полупроводниковых соединений типа AIII BV, включающий нанесение металла на поверхность полупроводникового соединения с последующей термообработкой, отличающийся тем, что, с целью упрощения селективного травления и увеличения глубины травления, металл, преимущественно индий или галлий, наносят в виде пленки толщиной 0,1-10 мкм на участки полупроводника, подлеж...

 Способ обработки полупроводниковых соединений PbTe и Pb1-х Snx Te, включающий загрузку в ампулу образца, вещества - источника паров, откачку воздуха из ампулы, заполнение ампулы водородом и диффузионный отжиг, отличающий тем, что, с целью снижения температуры отжига и расширения интервала регулирования концентрации электронов в полупроводниковых соединениях, качестве вещества - источника...

 Способ обработки полупроводниковых соединений PbTe и Pb1-x Snx Te, включающий загрузку в ампулу образца, вещества - источника паров, откачку ампулы, заполнение ампулы водородом и диффузный отжиг, отличающий тем, что, с целью обеспечения возможности независимой регулировки концентрации носителей заряда в обработанном материале и скорости диффузии, в качестве вещества - источника паров - в...

 Изобретение относится к способам получения сополимеров винилацетата (ВА) с бутилакрилатом (БА), используемых для изготовления вибропоглощающих материалов. Повышение демпфирующих свойств сополимера при 13 - 27°С достигается новым способом получения сополимера, осуществляемым водноэмульсионной сополимеризацией ВА с БА в присутствии натриевой соли сульфатированных эфиров алкилфенолов, взятой...

 Изобретение относится к получению сополимеров винилацетата (ВА) с бутилакрилатом (БА), используемых для изготовления вибропоглощающих материалов. Повышение демпфирующих свойств сополимеров в диапазоне температур (-17) - (-3)°С достигается новым способом получения сополимера, осуществляемым водоэмульсионной сополимеризацией ВА с БА в присутствии натриевой соли сульфатированных эфиров алкил...

  Изобретение относится к способу получения сополимеров винилацетата (ВА) с бутилакрилатом (БА), который используют для изготовления вибропоглощающих материалов, предназначенных для эксплуатации при температуре 50 7°С. Повышение демпфирующих свойств сополимера в диапазоне температур 43 - 57°С достигается новым способом получения сополимера, осуществляемым водно-эмульсионной сополимеризаци...

  Изобретение относится к способам получения сополимеров винилацетата (ВА) с бутилакрилатом (БА), который может быть использован для изготовления вибропоглощающих материалов, предназначенных для эксплуатации при температуре 28 - 42°С. Повышение демпфирующих свойств сополимера при 28 - 42°С достигается новым способом получения сополимера, осуществляемым водно-эмульсионной сополимеризацией В...

  Изобретение относится к способам получения сополимеров винилацетата (ВА) с бутилакрилатом (БА), используемых для изготовления вибропоглощающих материалов. Повышение демпфирующих свойств сополимеров при минус 2 - плюс 12°С достигается новым способом получения сополимера, осуществляемым водоэмульсионной сополимеризацией ВА с БА в присутствии натриевой соли сульфатированных эфиров алкилфено...