Способ получения полупроводниковых пленок халькогенида галлия

Способ получения полупроводниковых пленок халькогенида галлия

Реферат

Способ получения полупроводниковых пленок халькогенида галлия в открытой газотранспортной системе с использованием жидкого источника галлия, включающий взаимодействие галогенсодержащего вещества с галлием, транспортирование галогенида галлия в зону роста, подачу в зону наращивания элемента VI группы потоком газа-носителя и наращивание монокристалла на подложку, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии и улучшения качества пленок, наращивание осуществляют в системе HCl-Ga-Se-H₂ при температурах зон источников галлия и селена 400 - 600^oC и 230 - 300^oC соответственно, температуре зоны наращивания 700 - 750^oC, потоке водорода над источником селена 200 - 250 мл/мин и подаче в зону источника галлия 40 - 100 мл/мин водорода, парциальное давление HCl в котором составляет 20 - 30 мм рт.ст.