Способ селективного травления полупроводниковых соединений типа aiiibv

Способ селективного травления полупроводниковых соединений типа aiiibv

Реферат

Способ селективного травления полупроводниковых соединений типа A^III B^V, включающий нанесение металла на поверхность полупроводникового соединения с последующей термообработкой, отличающийся тем, что, с целью упрощения селективного травления и увеличения глубины травления, металл, преимущественно индий или галлий, наносят в виде пленки толщиной 0,1-10 мкм на участки полупроводника, подлежащие травлению а термообработку проводят при температуре, превышающей температуру диссоциации полупроводника на 20-200^oC в потоке инертного газа.