Способ получения эпитаксиальных структур переменного состава

Способ получения эпитаксиальных структур переменного состава

Реферат

Способ получения эпитаксиальных структур переменного состава на основе твердых растворов полупроводниковых соединений III-V методом газовой эпитаксии, включающий подачу в зону осаждения галогенидов, элемента III группы из его источника и паров элемента V группы потоком газа-носителя и изменение состава подаваемой парогазовой смеси в процессе осаждения, отличающийся тем, что, с целью расширения интервала изменения состава твердого раствора и упрощения процесса, для элемента III группы используют источник с полузакрытой поверхностью, а изменение состава парогазовой смеси ведут путем изменения подачи галогенида элемента V группы за время 0,01 - 1,0 мин.