C30B25/02 - выращивание эпитаксиальных слоев

Способ получения монокристаллов германия и кремния с заданным содержанием примесей

! ласс 1 с, 2 21а, - 1ь,„, N» 107450 СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДI=..Тс=ЛЬСТВУ Н. Н. Шефталь, А. В. Красилов и Н. П. Кокориш СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОБ ГЕРМАНИЯ И КРЕМНИЯ C ЗАДАННЫМ СОДЕРЖАНИЕМ ПРИМЕСЕЙ :1аявлено 7 апреля 1955 г. аа № 09022 62-! 4 в Министерство ра потехви Icc!IQII прогаыгвлсяпостп СССР Г!13сдмст изобретения Г1рсдмстом изобретения является...

107450

Патент ссср 161707

С0103 СОВЕТСКИХ СО(1ИАЛИСТИЧЕСКИХ Г6СПЛЛИК 0IIHCA.HÈE ИЗОБРЕТЕН(ИЛ К ASTOPCKOMV СВИДЕТЕЛЬСТВ,и о )(I f g(g Класс 12гп, 9 » ф Ф; /,.! л ", ПК С 01f Заявлено l7.VI I.I 962 (№ 789837/23-4) ГОСУДАРСТВЕННЫ И КОМИТЕТ ПО ДЕЛАМ изОБРетении и ОткРытиЙ СССР Опубликовано OI.IV.1964. Б!оллст.нь ¹ 8 ДК Подписная группа Л 42 В. А. Преснов, Л. Г. Лаврентьева и М. Д. Вилисова СПОСОБ ПОЛУЧ...

161707

Способ получения монокристаллических слоевкремния

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 272964 Союз Ссветскик Социзлнстическив Республик Зависимое от авт. свидетельства № Заявлено 29.1 I I.1968 (№ 1229544/22-1) Кл. 12g, 17/32 с присоединением заявки № Прис ритет Опубликовано 14Х11.1970. Бюллетень № 23 Дата опубликования описания 22.Х.1970 МПК В Olj 17/32 УДК 669.058-172 (088.8) Комитет по делам изобретений и о...

272964

О п и с хтги е изобретения(ц)408509

Всесонавная ватентно-тех::ичаоквее 1 йбпко тен"- .; .А о и и с н и Е 4оа о9 ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 09.11.70 (21) 1492735/23-26 с присоединением заявки № (32) Пр иор итет Опубликовано 15.04.74. Бюллетень № 14 Дата опубликования описания 20.09.74 (51) М. Кл. В 01j 17,...

408509

Способ получения эпитаксиальных структур переменного состава

Способ получения эпитаксиальных структур переменного состава на основе твердых растворов полупроводниковых соединений III-V методом газовой эпитаксии, включающий подачу в зону осаждения галогенидов, элемента III группы из его источника и паров элемента V группы потоком газа-носителя и изменение состава подаваемой парогазовой смеси в процессе осаждения, отличающийся тем, что, с целью расши...

706994

Контейнер для выращивания кристаллов из расплава и способ получения углеродсодержащей облицовки на кварце

1. Контейнер для выращивания кристаллов из расплава, выполненный из кварца с углеродсодержащей облицовкой, отличающийся тем, что, с целью уменьшения смачивания стенок контейнера расплавом и обеспечения возможности наблюдения за процессом кристаллизации, облицовка выполнена из -карбида кремния в виде пленки с шероховатой поверхностью. 2. Способ получения углеродсодержащей облицовки на квар...

976726

Способ эпитаксиального выращивания нитрида галлия из газовой фазы

Способ эпитаксиального выращивания нитрида галлия из газовой фазы, включающий пропускание потока аммиака над источником металлического галлия и осаждение слоев на подложки, отличающийся тем, что, с целью увеличения толщины слоев, источник галлия располагают напротив подложек на расстоянии 2 - 5 мм, поток аммиака пропускают между ними со скоростью 25 - 50 л/ч и осаждение ведут при температ...

1136501

Способ получения многослойных эпитаксиальных структур g @ а @

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано при получении эпитаксиальных структур GAAS путем осаждения из газовой фазы. Цель изобретения - получение более резких P-N-переходов и повышение выхода структур. Способ включает продувку реактора водородом и арсином в течение 3 - 4 мин, дальнейшее введение в реактор GA(CH<SB POS="POST">3</SB>...

1573057

Устройство для термической обработки полупроводниковых пластин

Изобретение может быть использовано в электронной промышленности и обеспечивает повышение качества термообработки за счет предотвращения осаждения продуктов реакции в загрузочном конце. Устройство содержит обогреваемый реактор с патрубком ввода парогазовой смеси. Загрузочный конец реактора размещен вне нагревателя и снабжен крышкой с теплоизоляцией. Между крышкой и нагревателем ус...

1587083

Способ эпитаксиального выращивания монокристаллических слоев кубического s @ с

Изобретение относится к области полупроводниковой технологии, в частности к области выращивания эпитаксиальных слоев карбида кремния, и может быть, использовано в высокотемпературной электронике, в том числе для создания высокотемпературных интегральных схем. Цель изобретения - упрощение процесса (отсутствие буферного слоя и использование стандартного оборудования для получения эп...

1710604

Способ получения монокристаллических пленок полупроводниковых материалов

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может найти применение при создании приборов оптоэлектроники и нелинейной оптики, в частности для полупроводниковых лазеров и преобразователей частоты . Обеспечивает в пленке заданную линейную плотность дефектов упаковки за счет изменения структуры осаждения материала от алмаза или сфалерита до вюртцита. Способ включает созда...

1730218

Способ получения эпитаксиальных структур на подложках арсенида галлия

Использование: изготовление полупроводниковых структур для опто- и СВЧ - электронных приборов. Сущность изобретения: подложки арсенида галлия, нагретые до 540 - 640°С при давлении 1 - 5 мм рт. ст., подвергают полирующему травлению в среде водородной плазмы высокочастотного тлеющего разряда с добавкой арсина, затем выращивают слои металлоорганических соединений гидридным методом. Уменьшае...

1800856

Способ получения люминесцентных пленок соединений типа a2 b6

Использование: получение люминесцентных пленок A2B6 для экранов дисплеев, телевизоров, светопанелей. Сущность изобретения: на подложки любых форм и размеров поочередно напускают пары металлоорганического соединения 2-й группы и гидрид неметалла 6-й группы до давления 1 - 50 Торр при комнатной температуре. В промежутках проводят откачку до исходного давления. Легируют пленки марганцем из...

2023771

Способ получения поликристаллического селенида цинка

Изобретение относится к области силовой ИК-оптики и касается способа получения поликристаллического селенида цинка, используемого в качестве пассивных элементов CO2-лазеров и других приборов, работающих в ИК-диапазоне. Способ заключается в химическом осаждении селенида цинка из газовой фазы в реакторе, содержащем подложки. Способ включает нагрев реактора и подачу на подложки в смеси с ар...

2031986

Способ синтеза алмазов

Изобретение относится к производству синтетических алмазов и может быть использовано в машиностроения. Способ состоит в том, что алмаз синтезируют из смеси простых газообразных соединений типа CO2 и CH4, CO и C2H2, CH4 и CX4, где X CL, Br, в которых углерод находится в разновалентном состоянии. Процесс ведут на затравку при 200-350°С и давлении 200-2500 ат, достигают упрощения и удешевлен...

2046842

Способ получения поликристаллического селенида цинка

Изобретение относится к силовой ИК-оптике, получению пассивных элементов мощных CO2 -лазеров. Сущность изобретения: на подложки из стеклоуглерода, нагретые до 650-750°С, осаждают промежуточный слой селенида цинка в течение 5 ч при концентрации исходных реагентов 40-50 моль/м3 а основной слой при концентрации 20-26 моль/м3. 1 табл. Изобретение относится к силовой ИК-оптике и касается разра...

2046843

Способ получения изотопически чистых алмазных пленок

Данное изобретение направлено на получение монокристаллического алмаза, состоящего из изотопически чистого углерода-12 или углерода-13. Изотопически чистый монокристаллический алмаз выращивают на монокристаллическом субстрате непосредственно из изотопически чистого углерода-12 или углерода-13. Способ включает стадии введения в реакционную камеру монокристаллической подложки, нагревают ее...

2054056

Способ получения пленок сульфида кадмия

Изобретение относится к неорганической химии, а именно к химической технологии полупроводниковых материалов, в частности к получению пленок сульфида кадмия, которые могут быть использованы для изготовления приборов оптоэлектроники. Изобретение позволяет повысить воспроизводимость параметров процесса получения пленок сульфида кадмия, сократить расход исходного летучего комплексного соедине...

2055948

Способ получения изделий из пиролитического нитрида бора

Использование: при изготовлении тиглей и лодочек, применяемых для получения сверхчистых расплавов металлов при эпитаксии в молекулярном пучке, а также в производстве полупроводниковых соединений и специальных сплавов. Сущность изобретения: изделия из пиролитического нитрида бора получают методом химического газофазного осаждения, включающего подачу галогенида бора и аммиака на нагрентую В...

2061113

Способ эпитаксиального выращивания монокристаллов нитридов металлов 3а группы химических элементов

Использование: способы выращивания монокристаллических полупроводников для электронной промышленности, в частности промышленное производство объемных монокристалллов нитридов металлов, принадлежащих к ЗА группе химических элементов, и нитридов переменного состава на их основе. Сущность изобретения: способ эпитаксиального выращивания монокристалла нитрида по меньшей мере одного металла, пр...

2097452

Способ получения регулярных нитевидных кристаллов кремния

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов, предназначено для получения нитевидных кристаллов (НК) с воспроизводимыми геометрическими параметрами. Сущность изобретения состоит в том, что на поверхность кремниевой пластины напыляется слой металла толщиной не менее 400 , после чего осуществляют маскирование поверхности пластины фоторезистором с последующим на...

2117081

Способ получения эпитаксиальных структур нитридов элементов группы a3

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых соединений типа А3N и может быть использовано при изготовлении эпитаксиальных структур различного назначения. Сущность изобретения: способ получения эпитаксиальных структур нитридов элементов группы А3 на кристаллических подложках включает создание в вакуумной камере в бесстолкновительном режиме одного или нескольких молекуляр...

2132890

Способ получения монокристаллических слоев оксида цинка на неориентирующих подложках

Использование: в электронной технике. Сущность: предложен способ получения монокристаллических слоев оксида цинка на неориентирующих подложках из стекла, керамики, плавленого кварца, тугоплавкого металла или полупроводника с отличными от оксида цинка постоянными решеток - методом химических транспортных реакций (ХТР) в проточном реакторе пониженного давления в атмосфере водорода. Для обес...

2139596

Способ получения высокочистых кристаллических соединений и устройство для его осуществления

Изобретение может быть использовано в производстве высокочистых материалов для полупроводниковых приборов, синтезе и очистке нестехиометрических кристаллических соединений полупроводникового класса А2В6, A2B5 и А4В6. Кристаллическое соединение помещают в рабочую часть и, переводя многократно в газовую фазу и обратно, очищают от примесей. Предварительно проводят в этом же реакторе синтез о...

2143014

Монокристаллический sic и способ его получения

Изобретение может быть использовано в полупроводниковой технологии для получения монокристаллического SiC, который может быть использован в качестве пластины-подложки для светодиода, рентгеновского оптического прибора высокотемпературного электронного элемента, силового прибора и т.д. Два комплекса М, а каждом из которых поликристаллическая пленка 2-SiC (или - SiC) выращивается на поверх...

2154698

C30B25/02 - выращивание эпитаксиальных слоев

Патенты в этой категории