Способ получения монокристаллов германия и кремния с заданным содержанием примесей

Способ получения монокристаллов германия и кремния с заданным содержанием примесей

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

! ласс 1 с, 2

21а, - 1ь,„, N» 107450

СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДI=..Тс=ЛЬСТВУ

Н. Н. Шефталь, А. В. Красилов и Н. П. Кокориш

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОБ ГЕРМАНИЯ И

КРЕМНИЯ C ЗАДАННЫМ СОДЕРЖАНИЕМ ПРИМЕСЕЙ

:1аявлено 7 апреля 1955 г. аа № 09022 62-! 4 в Министерство ра потехви Icc!IQII прогаыгвлсяпостп СССР

Г!13сдмст изобретения

Г1рсдмстом изобретения является способ получения монокристаллов кретинки и германия путем доращиваш.i! из I азопой фазы монокрнсталличсской плсlil;Il с заданшгм переменным содержанием прнмсссй.

Нзвсстные еспособы получения монокристаллической пленки германия еще далеко не совершенны ввиду трудностей регулировки концентрации и распределения примесей.

13 этом направлении описываемый способ получсш1я монокристаллических пленок германия и кремния является перспективным.

Сущнос гь способа заключается в следующем.

Пленки германия и кремния, образующиеся в результатс восстановления водородом Iix хлорисгых соеди нений ((зеС1 и S1CI,,) при высокой температуре, крисгаллизуются на подложке из монокристалла германия или кретшия; прп этом в газбвую фазу вво.нггся желаемые примеси в виде газообразных хлористых coåëløåø!é, которые "àêæå восстанавливаются водородом и кристаллизуются вместе с германием или кремнием, Таким образом, имеется возможность получат ь мо юкристаллическую пленку с заданным распределением примесей.

Данны. способом был получен монокристаллический слой германия с дыро l! Io i проводимостью толщиной до 40 ли, íа пластинке чистого германия толщиной в несколько десятых мил ".II3!å I 13à.

Такие пластннь1 пригодны для вплавления в пах ип;гия и получения триодов типа Р— 11 P.

Способ получения монокристаллов германия и крсмпия с заданным содержанйем примесей. о т л и ч а к3 щ и и с >I тем, по, с целью упрощешгя и ускорения про юсса производства мо;юкристаляов 1для полупроводниковых приво Зов и других целей), на готовые монокристаллы германия II!IH кремния доращнвают кристаллизацией из газовой фазы монокристаллическую плснку германия или кремния с заданным переменным содержa!»Ie3! пр:месей.