Способ легирования полупроводниковых соединений типа aiii bv
Патент 686542
Авторы
Классы МПК
Способ легирования полупроводниковых соединений типа aiii bv
Реферат
Способ легирования полупроводниковых соединений типа AIII BV, преимущественно арсенида галлия и фосфида галлия, основанный на диффузии из жидкой фазы, содержащей легирующий элемент, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества диффузионных слоев и упрощения процесса, диффузию проводят из насыщенного относительно материала подложки раствора-расплава арсенида - фосфида галлия.