Способ изготовления полупроводниковых структур с высокоомными диффузионными слоями
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРПВОЛНИКОВЫХ СТРУКТУР С ВЫСОКООИНЫМН ЛИЛ УЗИОННЫНИ слоями, включающий формирование высоколегированной области в подложке, вытравливание средней ее части через маскирующее Ь„,,, .Г- Тг/ч-.л j покрытие и термическую обработку в нейтральной среде, отличающ и и с я тем, что, с целью упрощения способа и повышения воспроизводимости параметров диффузионных слоев...