Способ сборки полупроводниковых приборов

Способ сборки полупроводниковых приборов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ВСЕСОЮЗНАЯ

- л»» i :т. i окблкотена Qlfj„Q

О П И С А Н И Е in»i 403362

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

Союз Советских

Социалистимеских

Республик (61) Дополнительное к авт. саид-ву (22) Заявлено 0,",11,—;0(21) 1 .:. =; —, (51} " ;. Кл. 011„21i2; с присоединением заявки ¹ (23) Приоритет— (43) Опубликовано 05,06,76Бюллетень .«е

Государстеенный комитет

Совета Министров СССР по делам изооретений и открытий

21» (53) У Дк (э» 1.;3 Е . 002 (0РВ. Р 1 (45) Дата опубликов;-ння описали>.: = =: .: 76» (72) Авторы изобретения

В- П. Антонов, И. Д. Гo..ol o, и . ф. (71) Заявитель (54) СПОСОБ СБОРКИ ПОЛУПРОВО i i-!! :« . = . потовa" "" =. ть:..—

Изобретение относится к области злектротехники, в частности к производству пол:— проводниковых приборов, и может быть применено при сборке злементов, деталей и узлов полупроводниковых приборов путем диффузионной сварки в вакууме.

Известен способ сборки полупроводникового прибора различными видами пайки при помощи припоев (например ПОС вЂ” 61, С вЂ” 000.

ПСр-50Кд, золото-кремний и др ) нагреваемым инструментом, ультразвуком и проч.

Однако эти способы сборки (сваркиипайки) полупроводниковых приборов отличаются наличием дорогостоящих припоев и флюсов, защитных газов, промежуточных термокомпенсаторов (молибден, ковар, вольфрам и др.) из-за различных физических свойств соединяемых материалов, наличием несмачиваемости в отдельных местах, вызывающим локальные пробои полупроводникового перехода, затеканием припоя на злементы схемы, трудоемкостью и нетехнологичностью процесса сборки, необходимостью большого количества разнообразного оборудования вых прибалтов и» ;e...; д-=-:!х",у;:::оннсй; сварки в вакууме, по ко:.оро". сб" рк ведут пои температуре, це превь,шаюшей, по крайней ме— ре, О, 4 температурь плавления легкоплавкого материала соединяемь»х деталей, и сжимающем удельном усилии, не превышаю— шем величину предела упругости полупроводникового кристалла.

Детали и злементы полупроводникового прибора, контактирующие поверхности которы х им еют шлифовальные или полированные обезжиренные поверхности, помещают в вакуумную камеру (например, с остаточным вакуумом 1 ° 10 З-1 ° 10 7 мм рт. ст. }, нагревают до те,пературь!, не превышающей О, 4 температуры плавления легкопчав— кого материала соединяемых деталей, прижимают их друг к другу с удельным усилием, не превышающим величину преде— ла упругости полупроводниковог0 кристалла, выдерживают при температуре сварки в те—

403362

Составитель Я Яенешкина

Техред Е.Петрова Корректор

Е. Рожкова

РедактоР И Щубина

Изд, K gg

3 аз 6310

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, 113035, Раушская наб., 4

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 чение времени, необходимого для получения вакуумно-плотных соединений, после чего охлаждают и извлекают из камеры. Сжимающее усилие к соединяемым материалам может передаваться механически, пневматиче- 5 ски или гидравлически. Для более равномерного распределения давления по всей площади кристалла усилие передают через слой порошка окиси алюминия.

На чертеже показано устройство, реали- 10 зующее предлагаемый способ, Оно содержит вакуумную камеру 1, индуктор 2, кристалл полупроводникового прибора 3, молибденовый диск 4, медную ножку транзистора 5, скобу 6, подставку 7,15 сильфон 6 и шток 9 пневмоцилиндра, Сборку мощного транзистора предлагаемым способом осуществляют следующим образом. Одновременно сваривают медь, молибден, полупроводниковый материал (на- 20 пример кремний), медь. Контролируют качество соединений свариваемых материалов (деталей, злементов) и апектропараметры полупроводниковых приборов. Испытания показывают надежность диффузионной сварки, обеспечение стабильности и улучшение параметров приборов. формула изобретения

Способ сборки полупроводниковых приборов путем диффузионной сварки в вакууме, отличающийся тем, что, с целью стабилизации параметров приборов, сборку ведут при температуре, не превышающей, по крайней мере, 0,4 температуры плавления легкоплавкого материала соединяемых деталей, и сжимающем удельном усилии, не превышающем величину предела упругости полупроводникового кристалла.

Тираж 963 Подписное